申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2021-06-25

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN113540977B

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开

摘要：带有AlP载流子阻挡层的GeSiGe衬底黄光半导体激光器，并给定了其每层材料相应的组分范围，包括从上至下依次设置的P面电极，P型势垒层，SiN介质层，P型上限制层，载流子阻挡层，上波导层，量子阱，下波导层，N型下限制层，N型变掺杂缓冲层，Si1‑xGex基体层，Ge衬底，N面电极；本发明的带有AlP载流子阻挡层的GeSiGe衬底黄光半导体激光器，在实现黄光激射的同时通过载流子阻挡层抑制载流子泄露，减小了阈值电流，使输出光功率与转换效率得到提升。

主权项：1.带有AlP载流子阻挡层的GeSiGe衬底黄光半导体激光器，其特征在于，包括有从上至下依次设置的P面电极1，P型GaInP势垒层2，SiN介质层，P型AlInP上限制层5，AlP载流子阻挡层6，AlGaInP上波导层7，GaInP量子阱8，AlGaInP下波导层9，N型AlInP下限制层10，N型变掺杂GaInP缓冲层一11，N型变掺杂GaInP缓冲层二12，N型变掺杂GaInP缓冲层三13，Si1-xGex基体层14，Ge衬底15，N面电极16；其中，P型GaInP势垒层2与N型变掺杂GaInP缓冲层一11、N型变掺杂GaInP缓冲层二12及N型变掺杂GaInP缓冲层三13中Ga组分范围为0.55～0.67；P型AlInP上限制层5与N型AlInP下限制层10中Al组分范围为0.57～0.69；AlGaInP上波导层7与AlGaInP下波导层9中In组分范围为0.56～0.68；GaInP量子阱8中Ga组分范围为0.63～0.66；Si1-xGex基体层14中Ge组分范围为0.7～0.9；所述的AlP载流子阻挡层6位于P型AlInP上限制层5、AlGaInP上波导层7之间，AlP载流子阻挡层的厚度范围为2nm～40nm；所述的SiN介质层包括SiN介质层一3和SiN介质层二4，SiN介质层一3和SiN介质层二4分设在腐蚀出的条形或脊型区两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 带有AlP载流子阻挡层的Ge/SiGe衬底黄光半导体激光器

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