申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-02-24

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116156904A

主分类号：H10K30/30

分类号：H10K30/30;H10K71/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明提供一种基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法，包括透明基底层和五层材料结构，五层材料结构包括透明底电极层、第一阻挡层、有机光敏层、第二阻挡层和顶电极层；正向偏压下，阻挡层与光敏层界面处的载流子陷阱引发外电路载流子隧穿注入，器件以PM模式工作，外量子效率高，适用于弱光探测，可避免前置放大电路的使用。反向偏压下，光敏层两侧的阻挡层可阻止外电路载流子的注入，器件以PV模式工作，外量子效率有限，适用于强光探测，可避免高功耗造成的器件散热和击穿等问题。本发明提出了一种通过调控阻挡层界面来制备双模器件的方法，优化了双模器件的光电性能，从而为双模有机光电二极管的制备提供了解决方案。

主权项：1.一种基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管，其特征在于：包括底部的透明基底1、透明基底1上方的五层材料结构，五层材料结构包括：透明底电极层2、第一阻挡层3、有机光敏层4、第二阻挡层5、顶电极层6；其中，透明底电极层2覆盖透明基底1的半个上表面，透明底电极层2的上表面以及未被透明底电极层2覆盖的透明基底1上表面被第一阻挡层3覆盖，第一阻挡层3上方依次为有机光敏层4、第二阻挡层5、顶电极层6；第一阻挡层3和或第二阻挡层5，与有机光敏层4的界面处具有用于堆积载流子的载流子陷阱；在正向偏压下，第一阻挡层3和或第二阻挡层5与有机光敏层4界面处的载流子陷阱引发外电路载流子隧穿注入，使所述基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管以PM模式工作；在反向偏压下，有机光敏层4上下两侧的第一阻挡层3和第二阻挡层5阻止外电路载流子的注入，使所述基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管以PV模式工作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法

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