申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2023-04-25

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171034A

主分类号：H05K9/00

分类号：H05K9/00;H01P1/20;H01Q15/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.07#授权;2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明涉及一种Ku频段的微纳混合集成能量选择表面，包括：第一电磁响应阵列，与第一电磁响应阵列相连接的中间连接结构，与中间连接结构相连接的第二电磁响应阵列；第一电磁响应阵列包括：至少一个第一电磁响应单元；第一电磁响应单元包括：第一半导体介质层、第一十字金属结构、第一二极管；第一十字金属结构的第一金属臂设置有第一缝隙，且第一缝隙的相对两端用于与第一二极管的两个电极分别连接；第二电磁响应阵列包括：至少一个第二电磁响应单元；第二电磁响应单元包括：第二半导体介质层、第二十字金属结构、第二二极管；第二十字金属结构的第二金属臂设置有第二缝隙，且第二缝隙的相对两端用于与第二二极管的两个电极分别连接。

主权项：1.一种Ku频段的微纳混合集成能量选择表面，其特征在于，包括：第一电磁响应阵列（1），与所述第一电磁响应阵列（1）相连接的中间连接结构（2），与所述中间连接结构（2）相连接的第二电磁响应阵列（3）；所述第一电磁响应阵列（1）包括：至少一个第一电磁响应单元（11）；所述第一电磁响应单元（11）包括：第一半导体介质层（111），在所述第一半导体介质层（111）一侧面设置的第一十字金属结构（112），集成在所述第一半导体介质层（111）上的第一二极管（113）；所述第一十字金属结构（112）的第一金属臂（112a）设置有第一缝隙，且所述第一缝隙的相对两端用于与所述第一二极管（113）的两个电极分别连接；所述第二电磁响应阵列（3）包括：至少一个第二电磁响应单元（31）；所述第二电磁响应单元（31）包括：第二半导体介质层（311），在所述第二半导体介质层（311）一侧面设置的第二十字金属结构（312），集成在所述第二半导体介质层（311）上的第二二极管（313）；所述第二十字金属结构（312）的第二金属臂（312a）设置有第二缝隙，且所述第二缝隙的相对两端用于与所述第二二极管（313）的两个电极分别连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种Ku频段的微纳混合集成能量选择表面

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