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【发明公布】磁存储器件_三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会_202211477599.9 

申请/专利权人:三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会

申请日:2022-11-23

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN116171052A

主分类号:H10B61/00

分类号:H10B61/00

优先权:["20211125 KR 10-2021-0164265"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2023.05.26#公开

摘要:一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导线以及在导线上在第一方向上延伸的磁道。磁道包括:顺序堆叠于导线上的下磁层、间隔层和上磁层,以及在间隔层上且邻近上磁层的侧面的非磁图案。非磁图案与下磁层的一部分垂直重叠。下磁层和上磁层通过间隔层彼此反铁磁耦合。

主权项:1.一种磁存储器件,包括:在第一方向上延伸的导线;以及在所述导线上在所述第一方向上延伸的磁道,其中所述磁道包括:顺序堆叠在所述导线上的下磁层、间隔层和上磁层;以及在所述间隔层上且邻近所述上磁层的侧面的非磁图案,其中所述非磁图案在与所述第一方向基本上垂直的第二方向上与所述下磁层的一部分垂直重叠,以及其中所述下磁层和所述上磁层通过所述间隔层彼此反铁磁耦合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会 磁存储器件

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