申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2022-03-29

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169117A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H10B20/25

优先权：["20211124 US 17/456,562"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：一种半导体结构包括基板、第一及第二晶体管、第一及第二熔丝、接触结构以及介电层。基板具有第一及第二元件区域，以及熔丝区域。第一晶体管与第二晶体管分别位于第一元件区域与第二元件区域上。第一熔丝电性连接至第一晶体管且包括具有第一部分与第二部分的第一熔丝主动区域。第二熔丝电性连接至第二晶体管且包括具有第三部分与第四部分的第二熔丝主动区域。接触结构互连第二部分与第三部分，其中第一部分与第四部分位于接触结构的相对侧上。介电层位于接触结构与基板的熔丝区域之间。借此，本揭露的半导体结构，可以减少半导体结构的特征尺寸，从而增加积体密度。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：基板，具有第一元件区域、第二元件区域以及熔丝区域；第一晶体管，位于该基板的该第一元件区域上；第二晶体管，位于该基板的该第二元件区域上；第一熔丝，电性连接至该第一晶体管且位于该熔丝区域，该第一熔丝包含第一熔丝主动区域，该第一熔丝主动区域具有第一部分与第二部分；第二熔丝，电性连接至该第二晶体管且位于该熔丝区域，该第二熔丝包含第二熔丝主动区域，该第二熔丝主动区域具有第三部分与第四部分；接触结构，互连该第一熔丝主动区域的该第二部分与该第二熔丝主动区域的该第三部分，其中该第一熔丝主动区域的该第一部分与该第二熔丝主动区域的该第四部分位于该接触结构的相对侧上；以及介电层，位于该接触结构与该基板的该熔丝区域之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体结构

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