申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-11-23

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116168747A

主分类号：G11C16/16

分类号：G11C16/16;G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24

优先权：["20211125 KR 10-2021-0164339","20220204 KR 10-2022-0014634"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：一种半导体器件包括单元区域和外围电路区域，所述单元区域包括：堆叠在衬底上的多条字线；至少一条接地选择线，其位于所述多条字线与所述衬底之间；和多个通道结构，其穿过所述多条字线和所述至少一条接地选择线，所述外围电路区域包括控制所述单元区域的外围电路。所述外围电路在第一编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入第一接地选择偏置电压、以向从所述多条字线中选择的编程字线输入第一编程电压，并且在第二编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入大小与所述第一接地选择偏置电压的大小不同的第二接地选择偏置电压以输入第二编程电压，所述第二编程电压与所述第一编程电压不同。

主权项：1.一种半导体器件，包括：单元区域，其包括堆叠在衬底上的多条字线，至少一条接地选择线，其位于所述多条字线与所述衬底之间，和多个通道结构，其在垂直于所述衬底的第一方向上延伸并且穿过所述多条字线和所述至少一条接地选择线；以及外围电路区域，其包括外围电路，所述外围电路被配置为控制所述单元区域，并且以沿着所述第一方向接近所述衬底的顺序向所述多条字线的至少一部分输入编程电压，在第一编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入第一接地选择偏置电压，在所述第一编程时间内向所述多条字线中的编程字线输入第一编程电压，并且在第二编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入大小与所述第一接地选择偏置电压大小不同的第二接地选择偏置电压，在所述第二编程时间内向所述编程字线输入大小与所述第一编程电压大小不同的第二编程电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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