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【发明公布】一种基于Mg扩散法的UV-LED器件结构及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202211676284.7 

申请/专利权人:西安电子科技大学芜湖研究院

申请日:2022-12-26

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN116169217A

主分类号:H01L33/14

分类号:H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要:本发明公开了一种基于Mg扩散法的UV‑LED器件结构及其制备方法,涉及半导体领域,包括从下至上依次设置的衬底、氮化镓成核层、铝镓氮缓冲层、N型铝镓氮层、N型欧姆电极、多量子阱层、AlxGa1‑xN电子阻挡层、P‑AlGaN层、P‑GaN层、P‑GaN高掺杂层和P型欧姆电极,其中,还包括N型欧姆电极,本发明还公开了其制备方法,通过扩散的方式使得Mg更好地取代Ga位,减少了填充类型的Mg原子,使得并入的Mg原子大部分处在Ga位,提高了处于Ga位Mg原子的比例,Mg的电离率相应增加;取代Ga位的Mg比例增加,使得电离能低的Mg原子比例增加Mg的电离率相应的提高;而且Mg扩散法形成的重掺杂P‑GaN层的高空穴浓度有利于载流子隧穿,形成比接触电阻率低的欧姆接触。

主权项:1.一种基于Mg扩散法的UV-LED器件结构,其特征在于,包括从下至上依次设置的衬底101、氮化镓成核层102、铝镓氮缓冲层103、N型铝镓氮层104、N型欧姆电极105、多量子阱层106、AlxGa1-xN电子阻挡层107、P-AlGaN层108、P-GaN层109、P-GaN高掺杂层110和P型欧姆电极111,其中,所述多量子阱层106一侧的N型铝镓氮层104上还设置有N型欧姆电极105。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学芜湖研究院 一种基于Mg扩散法的UV-LED器件结构及其制备方法

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