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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本申请所公开的蚀刻方法包括工序a，所述工序a在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序b，所述工序b通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
主权项：1.一种蚀刻方法，其包括：a在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序，该基板包括含硅膜；及b通过来自在所述腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻的工序，所述处理气体包含含磷气体、含氟气体以及含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种的含氢气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
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