申请/专利权人：南京大学

申请日：2023-03-08

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171103A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;B23K26/362

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：本发明介绍了一种忆阻器结构及其制备方法，其中，忆阻器结构包括衬底、下电极、上电极以及介质层；衬底位于下电极底部，介质层位于下电极与上电极之间，介质层和上电极的线条与下电极的线条垂直；其制备方法为使用激光打标机对玻璃上的ITO薄膜进行激光图形化加工，加工后的ITO薄膜作为下电极；再使用磁控溅射技术沉积一层氧化钽薄膜作为介质层；接着使用热蒸镀沉积一层银薄膜，作为上电极；最后再次使用激光打标机对介质层和上电极进行图形化加工。本申请设计的忆阻器制备方法，通过使用激光图形化方法分别对介质层、上电极、下电极进行处理，因此能够制备出不同大小、不同形状的忆阻器。

主权项：1.一种忆阻器结构，其特征在于，包括衬底1、下电极2、上电极4以及介质层3；所述衬底1位于下电极2底部；所述介质层3位于下电极2与上电极4之间；所述介质层3为一层氧化钽薄膜6；所述介质层3的线条和上电极4的线条平行；所述介质层3和上电极4的线条与下电极2的线条垂直。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学 一种忆阻器结构及其制备方法

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