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【发明公布】半导体器件_三星电子株式会社_202211492602.4 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2022-11-25

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN116169142A

主分类号:H01L27/088

分类号:H01L27/088;H01L21/8234

优先权:["20211125 KR 10-2021-0164616"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2023.05.26#公开

摘要:一种半导体器件,包括:掩埋互连线,在第一方向上延伸;栅电极,在与掩埋互连线相交的第二方向上延伸;以及沟道层,在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此间隔开。沟道层被栅电极包围,并且掩埋互连线包括在第三方向上堆叠的金属层和半导体层。该半导体器件包括:掩埋绝缘层,在沟道层与掩埋互连线之间;以及第一源漏区和第二源漏区,在栅电极的两侧上与沟道层接触。第二源漏区穿透掩埋绝缘层并与半导体层接触。该半导体器件包括:接触插塞,在第一源漏区上;以及通孔,在掩埋互连线下方。

主权项:1.一种半导体器件,包括:掩埋互连线,在第一方向上延伸;栅电极,在与所述掩埋互连线相交的第二方向上延伸,所述栅电极在所述掩埋互连线上;沟道层,在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上彼此间隔开,所述沟道层在所述掩埋互连线上并被所述栅电极包围,所述掩埋互连线包括在所述第三方向上堆叠的金属层和半导体层;掩埋绝缘层,在所述沟道层与所述掩埋互连线之间;第一源漏区和第二源漏区,所述第一源漏区和第二源漏区在所述栅电极的两侧上与所述沟道层接触,并且所述第二源漏区穿透所述掩埋绝缘层并与所述掩埋互连线的所述半导体层接触;接触插塞,在所述第一源漏区上,并且连接到所述第一源漏区;以及通孔,在所述掩埋互连线下方,并且连接到所述掩埋互连线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体器件

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