申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-11-24

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116165581A

主分类号：G01R33/09

分类号：G01R33/09;G01R33/00;G01R33/07

优先权：["20211125 DE 102021213302.9"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：在此描述的创新概念涉及一种传感器芯片100，其具有至少两个垂直于芯片层面测量的磁场传感器101、102，它们彼此相邻地布置在传感器芯片100上，其中在磁场传感器101、102中的至少一个101上布置了平面绕组130，其被设计为产生垂直于芯片层面定向的磁场120、121。控制器140可以在平面绕组130产生磁场120、121的校准模式中操作磁场传感器101、102。为了校准磁场传感器101、102的目的，可以执行差分测量，其中一个磁场传感器101、102的响应信号减去各另一个磁场传感器101、102的响应信号。

主权项：1.一种传感器芯片100，具有至少两个垂直于芯片层面测量的磁场传感器101、102，所述磁场传感器彼此相邻地布置在所述传感器芯片100上，其中在所述磁场传感器101、102中的至少一个磁场传感器101上布置有平面绕组130，所述平面绕组被设计为产生垂直于所述芯片层面定向的磁场120、121，以及控制器140，所述控制器被设计为在校准模式中操作所述磁场传感器101、102，在所述校准模式中输入信号被施加在所述平面绕组130处以产生所述磁场120、121，以及从两个磁场传感器101、102确定各一个对所产生的所述磁场120、121的响应信号S1、S2，并且为了校准所述磁场传感器101、102的目的执行差分测量，其中一个磁场传感器101、102的响应信号减去各另一个磁场传感器101、102的响应信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 带有平面校准线圈的Z磁场传感器

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