申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-01-03

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169169A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明公开了一种低栅泄漏电流的增强型GaNHEMTs及其制备方法，所述GaNHEMTs包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源接触电极、漏接触电极、基于p‑GaN的自对准T型栅控结构和钝化层，基于p‑GaN的自对准T型栅控结构包括P‑GaN帽层、栅钝化层和栅极金属；缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN帽层自下而上依次设置在衬底上，源接触电极和漏接触电极均设置在势垒层的部分上表面，且分别位于基于p‑GaN的自对准T型栅控结构的两侧，栅极金属设置在P‑GaN帽层的部分上表面，栅钝化层设置在P‑GaN帽层剩余部分上表面和势垒层剩余部分上表面，钝化层设置在栅钝化层的上表面。本发明不仅能够有效减小正向高栅压下的栅泄露电流，同时有效规避额外栅电容的引入，获得高可靠性的栅极结构。

主权项：1.一种低栅泄漏电流的增强型GaNHEMTs，其特征在于：包括衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3）、势垒层（4）、源接触电极（5）、漏接触电极（6）、基于p-GaN的自对准T型栅控结构和钝化层（10），所述基于p-GaN的自对准T型栅控结构包括P-GaN帽层（7）、栅钝化层（8）和栅极金属（9）；所述缓冲层（2）、沟道层（3）、势垒层（4）和P-GaN帽层（7）自下而上依次设置在衬底（1）上，所述源接触电极（5）和漏接触电极（6）均设置在势垒层（4）的部分上表面，且分别位于基于p-GaN的自对准T型栅控结构的两侧，所述栅极金属（9）设置在P-GaN帽层（7）的部分上表面，所述栅钝化层（8）设置在P-GaN帽层（7）剩余部分上表面和势垒层（4）剩余部分上表面，所述钝化层（10）设置在栅钝化层（8）的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD