申请/专利权人：北京大学

申请日：2023-03-01

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116170160A

主分类号：H04L9/32

分类号：H04L9/32;G06F21/73

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明提供了一种物理不可克隆函数电路及其应用，属于新型存储与计算技术领域。本发明通过非单调的双极转移特性和非易失的阈值电压调制，在单个器件完成PUF所需的同或异或操作，将所需的硬件代价降至最低。本发明不仅利用了阈值可调晶体管在编程后电压调制的物理随机机制，即同一个晶体管在经历两次相同的预编程后，中间阈值状态也存在一定的随机差异，实现了挑战‑响应对的可重构能力；还将最常见的多行多列晶体管阵列直接整合到PUF结构中，大大简化了电路设计和工作步骤。

主权项：1.一种物理不可克隆函数PUF电路，该PUF电路包括：晶体管阵列，以及外围的译码电路、驱动电路以及读取电路，其特征在于，所述晶体管阵列由相互连接的双极特性场效应晶体管构成多行多列阵列结构，所述晶体管阵列内每一行晶体管的字线WL连接至译码电路；每一列晶体管的位线BL连接至驱动电路，感线SL连接至读取电路；所述双极特性场效应晶体管的漏极与位线BL连接、栅极与字线WL连接、源极与感线SL连接，所述双极特性场效应晶体管采用具有电子和空穴双极导电特性的半导体材料作为沟道或衬底材料，或者采用金属或金属硅化物作为源漏材料，使具有源漏对称结构的场效应晶体管表现出非单调的双极转移特性曲线，同时在所述双极特性场效应晶体管的栅极堆叠层中插入一层存储层，该存储层采用浮栅俘获层和隧穿介质层构成的半导体材料，通过对沟道的电荷俘获去俘获调制晶体管的阈值电压；或者采用一层铁电材料，通过改变铁电材料的极化状态调制晶体管的阈值电压，构成具有双极特性且可调制阈值电压的场效应晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种物理不可克隆函数电路及其应用

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