申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-02-16

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169170A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明公开了具有平面分布式沟道的GaN基射频器件及其制备方法。所述器件包括异质结外延层等结构，所述器件还包括平面分布式沟道结构。所述平面分布式沟道结构由离子注入设备实现，在通过离子注入实现GaN基射频器件平面隔离的同时，在连续的沟道插入高阻区，将连续的沟道划分为周期性排列的微沟道结构即平面分布式沟道结构。本发明相比于传统连续沟道器件，大大降低器件的沟道温度以及自热效应，提升器件的最大饱和电流、功率输出密度以及效率，同时器件的栅极漏电没有增加并且小信号特性没有明显的退化。另外所述的平面分布式沟道结构与器件离子注入平面隔离工艺相兼容，不用增加额外的工艺步骤，工艺简单容易实现。

主权项：1.具有平面分布式沟道的GaN基射频器件，其特征在于，包括异质结外延层1；所述异质结外延层1为平面结构，异质结外延层1上部分的两端为离子注入形成的器件隔离高阻区3，两端的器件隔离高阻区3之间的部分为沟道区4，沟道区4上表面分别连接源电极21、漏电极22和栅电极7，其中，源电极21和漏电极22位于沟道区4上表面的两端，栅电极7位于源电极21和漏电极22之间；在源电极21和漏电极22之间的沟道区4中，设置有周期性排列的等宽高阻区5，周期性分布的等宽高阻区5之间为等宽的微沟道6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 具有平面分布式沟道的GaN基射频器件及其制备方法

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