申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所

申请日：2023-02-07

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169111A

主分类号：H01L23/492

分类号：H01L23/492;H01L21/60;H01L23/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明涉及微电子封装技术领域，公开了一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法，该共晶焊接结构，包括共晶承载板、设于所述共晶承载板表面的共晶区域，所述共晶承载板表面还设有与所述共晶区域连接的焊料施放区。本发明解决了现有技术存在的容易形成气体填充型的共晶空洞、容易导致芯片过热低效、甚至烧毁等问题。

主权项：1.一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构，其特征在于，包括共晶承载板1、设于所述共晶承载板1表面的共晶区域5，所述共晶承载板1表面还设有与所述共晶区域5连接的焊料施放区4。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法

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