申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2023-03-29

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169558A

主分类号：H01S5/065

分类号：H01S5/065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.08#授权;2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明提出了一种具有衬底模式抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一子限制层、衬底模式抑制层和第二子限制层。所述衬底模式抑制层的SiC浓度比例≥第一子限制层的SiC浓度比例≥第二子限制层的SiC浓度比例；所述衬底模式抑制层的InAl强度比例≥第一子限制层的InAl强度比例≥第二子限制层的InAl强度比例；所述衬底模式抑制层的HC浓度比例≥第二子限制层的HC浓度比例≥第一子限制层的HC浓度比例。本发明可消除激光器远场分布图像中的波瓣，抑制阈值防止高扭结，抑制衬底模式，解决光场模式泄漏至衬底形成的驻波，使主激光束无波纹。

主权项：1.一种具有衬底模式抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一子限制层、衬底模式抑制层和第二子限制层；所述衬底模式抑制层的SiC浓度比例≥第一子限制层的SiC浓度比例≥第二子限制层的SiC浓度比例；所述衬底模式抑制层的InAl强度比例≥第一子限制层的InAl强度比例≥第二子限制层的InAl强度比例；所述衬底模式抑制层的HC浓度比例≥第二子限制层的HC浓度比例≥第一子限制层的HC浓度比例。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有衬底模式抑制层的半导体激光器

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