申请/专利权人：夏普株式会社

申请日：2018-04-04

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN110692128B

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18

优先权：["20170530 JP 2017-107035"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.14#公开

摘要：半导体装置具备配置成彼此相对的第一半导体芯片10及第二半导体芯片20。第一半导体芯片10，具有设置于第一孔部122的第一连接部13，且第二半导体芯片20具有以形成于第二电极部21的表面、第二孔部222的侧面以及第二保护膜22的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部23。第一电极部11与第二电极部21经由第一连接部13及第二连接部23而电连接。

主权项：1.一种半导体装置，其具备配置成彼此相对的第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片具有：第一电极部，其设置于与所述第二半导体芯片相对的相对面；以及第一保护膜，其配置于与所述第二半导体芯片相对的部分且设置有所述第一电极部露出的第一孔部；并且所述第二半导体芯片具有：第二电极部，其设置于与所述第一半导体芯片相对的相对面；以及第二保护膜，其配置于与所述第一半导体芯片相对的部分且设置有所述第二电极部露出的第二孔部；其特征在于，所述第一半导体芯片具有导电性的第一连接部，所述第一连接部设置于所述第一孔部，且从所述第一孔部朝向所述第二孔部突出，并在第一前端部具有朝向所述第一孔部凹陷的第一凹部，所述第二半导体芯片具有导电性的第二连接部，所述第二连接部形成于所述第二电极部的表面、所述第二孔部的侧面以及所述第二保护膜的表面，且从所述第二孔部朝向所述第一孔部突出，并在第二前端部具有朝向所述第二孔部凹陷的第二凹部，通过使所述第一连接部的所述第一前端部与所述第二连接部的所述第二凹部的底面的接触，使所述第一电极部与所述第二电极部电连接，且形成有由所述第一凹部的内面和所述第二凹部的底面包围的空间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏普株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

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