买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明授权】具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法_财团法人交大思源基金会_201911236326.3 

申请/专利权人:财团法人交大思源基金会

申请日:2019-12-05

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN111029400B

主分类号:H01L29/08

分类号:H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336

优先权:["20191126 TW 108142879"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2020.05.12#实质审查的生效;2020.04.17#公开

摘要:一种具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法,乃在金属氧化物硅半导体场效晶体管结构中,于硅100基板上制作百纳米纳米级孔洞,此百纳米纳米级孔洞可随后将硅基板的111晶面暴露,而有利于选择性区域成长高质量的三五族材料,利用其宽能隙的特性,三五族材料作为汲极结构可以有效弥补金属氧化物硅半导体场效晶体管在高频应用功率功能的不足,也可解决因组件持续微缩所产生的击穿问题。

主权项:1.一种具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管,其特征在于,包含:基板,所述基板包括硅基板、绝缘层和半导体层,所述硅基板具有100晶面的主表面,所述绝缘层位于所述主表面上,所述半导体层位于所述绝缘层上;介电层,位于所述半导体层上;金属闸极,位于所述介电层上;源极,位于所述金属闸极的侧下方的所述半导体层内;百纳米级孔洞,位于所述金属闸极的另一侧并穿过所述半导体层来延伸至所述硅基板内,所述百纳米级孔洞的壁面是由侧壁和在所述侧壁的下延伸的倾斜表面所构成,所述倾斜表面暴露所述硅基板的111晶面,且缓冲层形成于所述倾斜表面上;三五族汲极,形成于所述百纳米级孔洞中;另一介电层,环绕所述金属闸极的侧壁且和所述汲极相隔一段距离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 财团法人交大思源基金会 具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。