申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-05-18

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN113690137B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠材料结构；在堆叠材料结构内形成若干凹槽，凹槽的底部位于所述第一材料层内，形成初始堆叠结构，初始堆叠结构包括初始第一层、位于初始第一层上的初始第二层以及位于初始第二层上的初始第三层；对初始第三层进行刻蚀，形成若干过渡第三层，若干过渡第三层沿平行于衬底表面的第二方向排列，第二方向与第一方向垂直；形成过渡第三层之后，去除初始堆叠结构在第二方向两侧的部分初始第一层和部分初始第二层，形成堆叠结构，堆叠结构包括第一层、位于第一层上的第二层以及位于第二层上的过渡第三层；形成栅极结构。所述方法形成的半导体结构性能较好。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠材料结构，所述堆叠材料结构包括第一材料层，位于第一材料层上的第二材料层，以及位于第二材料层上的第三材料层；在堆叠材料结构内形成若干凹槽，所述凹槽的底部位于所述第一材料层内，所述若干凹槽沿平行于衬底表面的第一方向排列，形成初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括初始第一层、位于初始第一层上的初始第二层以及位于初始第二层上的初始第三层；对所述初始第三层进行刻蚀，形成若干过渡第三层，所述若干过渡第三层沿平行于衬底表面的第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向垂直；形成过渡第三层之后，去除所述初始堆叠结构在第二方向两侧的部分初始第一层和部分初始第二层，形成堆叠结构，所述堆叠结构包括第一层、位于第一层上的第二层以及位于第二层上的过渡第三层；形成栅极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构的形成方法

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