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【发明授权】用于三稳态存储的存储单元_清华大学_202111370758.0 

申请/专利权人:清华大学

申请日:2021-11-18

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN114171082B

主分类号:G11C11/414

分类号:G11C11/414

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开

摘要:本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元,包括:第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成,用于存储三进制数据;第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成,用于存储三进制数据;其中,第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同,第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连,得到节点电压Vx,第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连,得到节点电压Vy,以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时,第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接,用于于三稳态存储。由此,解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储,导致存储效率低的问题,不仅可以提升信息存储效率,且不会显著增加使用的器件数量。

主权项:1.一种用于三稳态存储的存储单元,其特征在于,包括:第一匀质反相器,所述第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成,用于存储三进制数据;第二匀质反相器,所述第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成,用于存储三进制数据,其中,所述第一双极型场效应晶体管和所述第二双极型场效应晶体管均包括上拉管和下拉管;其中,所述第一匀质反相器和所述第二匀质反相器的沟长相同,所述第一匀质反相器的输入端口与所述第二匀质反相器的输出端口相连,得到节点电压Vx,所述第二匀质反相器的输入端口与所述第一匀质反相器的输出端口相连,得到节点电压Vy,以在所述节点电压Vx和所述节点电压Vy呈现稳态时,所述第一匀质反相器和所述第二匀质反相器交叉连接,用于三稳态存储;其中,所述第一匀质反相器和所述第二匀质反相器为顺置反相器或者倒置反相器;所述节点电压Vx和所述节点电压Vy呈现稳态包括两个顺置反相器交叉连接呈现的0,1稳态或者1,0稳态,或者两个倒置反相器交叉连接呈现的1,2稳态或者2,1稳态,或者一个顺置反相器和一个倒置反相器交叉连接呈现的2,0稳态或者0,2稳态。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 清华大学 用于三稳态存储的存储单元

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