申请/专利权人:斯坦雷电气株式会社
申请日:2020-03-02
公开(公告)日:2023-05-26
公开(公告)号:CN113544235B
主分类号:C09K11/08
分类号:C09K11/08;C09K11/64;C09K11/80;H01L33/50
优先权:["20190319 JP 2019-050632"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.26#授权;2022.03.15#实质审查的生效;2021.10.22#公开
摘要:本发明提供一种半导体发光装置及半导体发光模块。其在外界光环境中也能放射出能被清晰地视觉辨认到金色的金色光、或者在向物体照射光时能从该物体反射出能被清晰地视觉辨认为金色的金色光。该半导体发光装置具有半导体发光元件和荧光体层,该半导体发光元件发出峰值波长在440~450nm范围内的激励光,该荧光体层设置在半导体发光元件上并含有第一荧光体和第二荧光体,第一荧光体和第二荧光体受来自所述半导体发光元件的激励光激励而分别发出第一荧光和第二荧光。第一荧光在540~575nm范围内具有峰值波长,第二荧光在590~605nm的范围内具有峰值波长,在从所述荧光体层放射出的半导体发光元件的放射光、来自第一荧光体的放射光及第二荧光体的放射光的混色光中,半导体发光元件的放射光的强度是来自第一荧光体及第二荧光体的放射光的合成光强度的110~160。
主权项:1.一种半导体发光装置,其特征在于,具有半导体发光元件和荧光体层,所述半导体发光元件发出峰值波长在440~450nm范围内的激励光,所述荧光体层设置在所述半导体发光元件上并含有第一荧光体和第二荧光体,所述第一荧光体和所述第二荧光体受来自所述半导体发光元件的所述激励光激励,分别发出第一荧光和第二荧光,所述第一荧光在540~575nm范围内具有峰值波长,所述第二荧光在590~605nm范围内具有峰值波长,在从所述荧光体层放射出的基于所述半导体发光元件的放射光、来自所述第一荧光体的放射光及来自所述第二荧光体的放射光的混色光中,所述半导体发光元件的所述放射光的强度是来自所述第一荧光体及所述第二荧光体的放射光的合成光的强度的110~160。
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权利要求:
百度查询: 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置及半导体发光模块
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