申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-07-04

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN112185811B

主分类号：H01L21/308

分类号：H01L21/308

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层上具有第一牺牲层，第一牺牲层内具有第一开口和第二开口；在第一牺牲层顶部表面、第一开口内、以及第二开口内形成第一侧墙材料层；在第一侧墙材料层表面形成第二侧墙材料层，以在第二开口内形成第三开口；采用第一干法刻蚀工艺刻蚀第二侧墙材料层，直至暴露出第二开口底部和侧壁表面的第一侧墙材料层为止，并在第一开口内的第一侧墙材料层表面形成过渡层；以过渡层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀第二开口底部暴露出的第一侧墙材料层，在第二开口侧壁表面形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，去除过渡层以及第一牺牲层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有第一牺牲层，所述第一牺牲层内具有分别暴露出所述待刻蚀层表面的第一开口和第二开口，且在平行于待刻蚀层表面的第一方向上，所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸；在所述第一牺牲层顶部表面、第一开口的侧壁和底部表面以及第二开口的侧壁和底部表面形成第一侧墙材料层；在所述第一侧墙材料层表面形成第二侧墙材料层，以在所述第二开口内形成第三开口，所述第二侧墙材料层的材料和第一侧墙材料层的材料不同，且所述第二侧墙材料层填充满所述第一开口；采用第一干法刻蚀工艺刻蚀所述第二侧墙材料层，直至暴露出第二开口底部和侧壁表面的第一侧墙材料层为止，并在第一开口内的第一侧墙材料层表面形成过渡层；以所述过渡层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀第二开口底部暴露出的第一侧墙材料层，在第二开口侧壁表面形成第二侧墙；形成所述第二侧墙之后，去除所述过渡层以及第一牺牲层。

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权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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