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【发明授权】片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器_成都知融科技有限公司_202110318450.5 

申请/专利权人:成都知融科技有限公司

申请日:2021-03-25

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN113162564B

主分类号:H03F3/20

分类号:H03F3/20

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:本申请涉及应用于移动设备的射频模块集成技术,公开了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器,包括多路带隙基准电流源、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路,多路带隙基准电流源分别为三个偏置电路提供电流,射频信号输入总端口与第一级放大电路的输入端连接,第一级放大电路的输出端与第二级放大电路的输入端连接,第二级放大电路的输出端与第三级放大电路的输入端连接,第三级放大电路的输出端与射频信号输出总端口连接。本申请采用三级放大电路结构,实现了补偿高低温状态下增益波动和输出功率波动,能够很好的满足系统的需求。

主权项:1.一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器,其特征在于:包括多路带隙基准电流源(1)、第一级放大电路(2)、第二级放大电路(3)、第三级放大电路(4)、第一偏置电路(5)、第二偏置电路(6)以及第三偏置电路(7),射频信号输入总端口(8)与第一级放大电路(2)的输入端连接,第一级放大电路(2)的输出端与第二级放大电路(3)的输入端连接,第二级放大电路(3)的输出端与第三级放大电路(4)的输入端连接,第三级放大电路(4)的输出端与射频信号输出总端口(9)连接;所述第一偏置电路(5)的电流输入端与多路带隙基准电流源(1)产生的与绝对温度成正比电流连接,输出端与第一级放大电路(2)的偏置端口Ⅰ(10)连接,第一级放大电路(2)通过第一偏置电路(5)镜像电流,实现第一级放大电路(2)低温低增益,高温高增益;所述第二偏置电路(6)的电流输入端与多路带隙基准电流源(1)产生的与绝对温度成正比电流连接,输出端与第二级放大电路(3)的偏置端口Ⅱ(11)连接,第二级放大电路(3)通过第二偏置电路(6)镜像电流,实现第二级放大电路(3)低温低增益,高温高增益;所述第三偏置电路(7)的电流输入端与多路带隙基准电流源(1)产生的与绝对温度无关电流连接,输出端与第三级放大电路(4)的偏置端口Ⅲ(12)连接,第三级放大电路(4)通过第三偏置电路(7)镜像电流,实现第三级放大电路(4)低温高增益,高温低增益;所述第一偏置电路(5)、第二偏置电路(6)以及第三偏置电路(7)的结构相同,均包括NMOS管M以及电阻R,NMOS管M的源极接地,栅极和漏极短接,漏极与电流输入端i_in连接,栅极与电阻R的一端连接,电阻R的另一端与电流输出端i_out连接;所述第一级放大电路(2)包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1以及NMOS管M1,射频信号输入总端口(8)通过电容C1连接至电感L1的一端,电感L1的另一端分别与电阻R1的一端以及NMOS管M1的栅极连接,电阻R1的另一端与第一级放大电路(2)的偏置端口Ⅰ(10)连接,NMOS管M1的源极与电感L2的一端连接,电感L2的另一端接地,NMOS管M1的漏极分别与电感L3的一端以及电感L4的一端连接,电感L3的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C3的一端连接,电容C3的另一端接地,电感L4的另一端与电容C2的一端连接,电容C2的另一端为第一级放大电路射频信号输出端(13);第一级放大电路2中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a10:3来调节,电流斜率通过4bit控制位b10:3来调节;第二级放大电路3中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a20:3来调节,电流的斜率通过4bit控制位b20:3来调节;第三级放大电路4中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a30:3来调节,电流的斜率通过4bit控制位b30:3来调节。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都知融科技有限公司 片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器

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