申请/专利权人：晶通半导体(深圳)有限公司

申请日：2021-12-13

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN114420743B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2022.05.20#实质审查的生效;2022.04.29#公开

摘要：本发明公开了一种反向阻断高迁移率晶体管，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干P型半导体层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述P型半导体层之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述P型半导体层与所述肖特基接触层的接触面。漏电极的图案化P型半导体区域形成结势垒，以分配高阻断电压和低泄漏电流的电场，从而在单一器件实现晶体管的反向电压阻断能力。

主权项：1.一种反向阻断高迁移率晶体管，其特征在于，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间沿着与源极到漏极方向相垂直的方向间隔设置有若干P型半导体层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层的接触面之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述P型半导体层与所述肖特基接触层的接触面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶通半导体(深圳)有限公司 反向阻断高迁移率晶体管

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