申请/专利权人：湖北江城芯片中试服务有限公司

申请日：2023-01-04

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN115911072B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体层；第一二极管，位于所述半导体层中；所述第一二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上；隔离结构，位于所述半导体层中，位于所述第一二极管的一侧；浮置区，位于所述半导体层中，且位于所述隔离结构上；所述浮置区的掺杂类型与所述第一掺杂区相同；缓冲区，位于所述浮置区与所述隔离结构之间，所述缓冲区的掺杂类型与所述浮置区的掺杂类型相反；其中，所述浮置区与所述第一掺杂区电隔离。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；第一二极管，位于所述半导体层中；所述第一二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上；隔离结构，位于所述半导体层中，位于所述第一二极管的一侧；浮置区，位于所述半导体层中，且位于所述隔离结构上；所述浮置区的掺杂类型与所述第一掺杂区相同；缓冲区，位于所述浮置区与所述隔离结构之间，所述缓冲区的掺杂类型与所述浮置区的掺杂类型相反；其中，所述浮置区与所述第一掺杂区电隔离；所述浮置区的底表面高于所述第一掺杂区的顶表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北江城芯片中试服务有限公司 半导体器件及其制作方法以及CMOS图像传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD