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【发明授权】在半导体芯片制造过程期间防止ESD_意法半导体公司_201810654540.X 

申请/专利权人:意法半导体公司

申请日:2018-06-22

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN109148420B

主分类号:H01L23/60

分类号:H01L23/60;H01L23/49;H01L23/495;H01L21/60

优先权:["20170628 US 15/636,533"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2019.01.29#实质审查的生效;2019.01.04#公开

摘要:本公开涉及在半导体芯片制造过程期间防止ESD。根据如本文所解释的本公开的原理,选定的引线通过金属带被电连接到引线框架,直到制造过程结束。引线框架通过制造过程接地,以防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中,引线彼此电隔离并与引线框架电隔离,从而维持保护免受潜在的ESD事件直到最后封装分割步骤。

主权项:1.一种制造连接到引线框架阵列的半导体裸片封装的方法,包括:将半导体裸片附接到所述引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述裸片,并将第二端连接到所述引线框架的引线的第一侧;将所述半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述引线框架;仅移除所述引线框架的一部分以将第一组引线与所有其他引线电隔离,而不移除用于第二组引线的引线框架总线连接,所述引线框架总线连接使所述第二组引线的每条引线均电连接到所述引线框架总线并使所述第二组引线的每条引线彼此电连接;使所述引线框架阵列通过静电荷环境;将所述引线框架保持在电接地电位,以在静电充电事件期间提供从所述引线框架到地的电流路径;以及从所述引线框架阵列切割所述半导体裸片封装,所述切割包括去除每条引线到所述引线框架总线的所有电连接,并且将每条所述引线与所述半导体裸片封装的所有其他引线电隔离。

全文数据:在半导体芯片制造过程期间防止ESD技术领域本公开涉及保护半导体芯片在制造期间免受ESD事件,以及具体地,维持电引线连接到引线框架,直到最后的分割步骤。背景技术半导体芯片容易受到静电放电的损害。静电放电可以发生在处理半导体芯片期间的各种时间,在芯片的制造期间以及在芯片的制造之后。在制造过程期间,半导体芯片被连接到引线框架。引线框架包含大量半导体芯片的阵列。引线框架在整个制造过程期间保持为单件阵列,并且在制造过程结束时被分割成单独的封装芯片。在制造过程中保护每条引线和ESD事件非常重要,直到最后的分割发生以及芯片被封装,准备销售。发明内容根据如本文所解释的本公开的原理,选择的引线通过金属条带被电连接到引线框架,直到制造过程结束。引线框架通过在制造过程中接地,来防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中,引线彼此电隔离并与引线框架电隔离,从而维持保护免受潜在的ESD事件,直到最后的封装分割步骤。根据本文公开的方法,测试被执行以确定哪些引线在制造过程期间对ESD事件敏感。通常,这可能是每个裸片有三到六个对ESD事件敏感的引线,而裸片本身有50到100个引线。在测试之后,引线框架金属化物被修改以提供从引线框架到易受ESD事件影响的那些引线的金属化接触。之后,引线框架被修改以将引线框架的金属连接直接添加到易受ESD事件影响的那些引线。这确保了这些引线在整个制造过程期间保持接地。在制造过程结束时,芯片通过锯切引线框架中的每个芯片来分割。锯切过程去除了每个引线到引线框架的电连接,并且因此将每个引线彼此电隔离以及与引线框架本身电隔离。在制造过程期间将一些引线接地提供了额外的保护,以避免可能烧毁引线或与其附接的裸片的ESD事件。通过经由随后锯切的引线框架提供连接,在分割过程期间,对地电连接被自动移除并且引线被彼此电隔离。这提供了一种有效且低成本的方法,既为相关引线提供ESD保护,又在制造过程结束时将其有效地电隔离。附图说明图1是现有技术中已知的在制造过程期间使用的水射流清洁站的示意图。图2是未受保护的引线在水射流清洁步骤期间引起的ESD损坏的照片。图3是根据本文公开的原理制造芯片阵列的方法的流程图。图4是根据图3的序列测试引线框架以准备它们以供制造的方法。图5是如本文所公开的本发明的引线框架的底部平面视图。图6是沿图5的线6-6截取的横截面视图。图7是在制造过程的稍后阶段的图6的横截面视图。图8是图5的引线框架阵列的底部平面视图,其准备切割以执行分割。图9是根据本文公开的原理制造的分割的最终封装芯片。图10是图9的最终分割封装的侧面正视图。具体实施方式图1示出了系统20,以执行如现有技术中众所周知的常规水清洁步骤。根据该清洁步骤,具有大量引线框架的引线框架阵列22以及通常附接于其上的封装裸片被放置在移动带24上。带与辊26一起前进。当带24前进时,储液器28将水32从喷射喷嘴30中输出。当水沿着移动带24前进时,水被喷射到引线框架阵列22上。在一些情况下,喷嘴30是高压喷嘴,其以极高的压力输出水,以更有效地清除引线框架阵列22中的所有碎屑。在一些情况下,水32作为具有足够压力的水射流离开,其可以从引线框架阵列22移除金属毛刺、桁条和其他碎屑。它也可以清除引线本身以去除可能在其上稍后形成的外部氧化物,并且在锯切之前使封装非常干净并且没有毛刺和无关材料。因此,在将封装引入锯切过程之前,封装被变得非常干净,以避免在锯切过程中产生无关碎屑。不幸的是,水32可能不时地为引线框架22的引线产生ESD事件。如果水在非常高的压力下被喷射,则由于高速水分子的影响,摩擦充电可能会发生。ESD敏感器件上的摩擦充电往往会导致烧焦的金属化,并且在某些情况下,不仅会损坏引线本身,而且还会损坏连接到相应引线的电路。图2显示了一个在水射流清理阶段由于摩擦充电而损坏的裸片上的电路的示例。从图2中可以看出,衬垫34包含圆形36内的受损区域,其由于ESD放电事件、摩擦充电或其他电流流过引线表面而具有烧痕。如果在摩擦充电过程中大量损坏被造成,这可能会影响电路的运行,从而降低单个封装芯片生产的可靠性。图3示出了如本文讨论的根据本发明公开内容的原理制造封装裸片的序列。在步骤40中,芯片被附接到引线框架。根据本文讨论的原理,引线框架是一个裸片衬垫阵列,并且可以具有50到1000个裸片衬垫,每个裸片衬垫上附接有对应的裸片。在每个裸片被附接到其相应的裸片衬垫之后,粘合剂使用标准粘合剂固化技术来固化,如本领域已知的,然后等离子清洁或其他清洁技术被执行。随后,导线接合步骤42被执行,其中导线使用本领域已知的标准导线接合技术被耦合在裸片和引线框架之间。在导线接合完成并且适当的清洁和检查已经进行之后,组件在模制步骤中被模制,然后模具被固化以便封装引线框架导线接合到裸片的裸片。在模制步骤之后,引线框架在步骤46中被蚀刻。在框架蚀刻期间,存在将所有引线彼此电连接的铜电镀线。在该步骤被执行之前,所有引线通常彼此电连接。因此,整个引线框架接地时,ESD事件不会在引线框架上发生,并且如果存在ESD事件,它会很快接地,并不会损坏引线或封装。然而,在引线框架背蚀刻已被执行之后,各个引线均彼此电隔离。因此,相应引线不再接地,并且如果特定引线接收到ESD事件,损坏可能会发生。在框架蚀刻之后,封装的裸片经受水射流处理以去除毛刺。如本文更详细地公开的,这种水射流处理在引线框架上被执行,该引线框架具有耦合到所选引线的附加接地连接以避免ESD事件。相应地,水射流清洁步骤48不会导致ESD事件并且不会导致在任何引线上发生摩擦充电灼伤。在水射流步骤之后,封装通过任何可接受的技术诸如激光标记50、丝网印刷或任何可接受的标记技术被打上适当的标记。在适当的标记其也可以包括本领域已知的点标记之后,引线框架在引线框架锯切步骤52中被锯切。在引线框架锯切步骤52中,各个封装彼此分割。而且,在引线框架锯切步骤52期间,单个导线的接地线被从引线切断,因而将所有引线彼此电隔离并且与周围引线框架电隔离。这在本文中更详细地被解释和示出。在引线框架锯切步骤52之后,检查54被执行以确保封装已被适当地形成。在步骤56中,最终的封装芯片被准备好,准备销售。图4示出了为确定需要保护免受ESD事件的选定引线所执行的步骤。如图4所示,引线框架在步骤58中被测试以确定对ESD事件敏感的或摩擦充电损坏的裸片的那些引线。测试58有多种方式可以被执行。一项技术是让一个功能齐全的引线框架与裸片相连,通过水射流站以非常高的压强进行全面清洁。在一个实施例中,在步骤58中的引线测试用该封装的实际操作裸片来执行。在引线框架经过清洁步骤后,其可由操作员或机器视觉检查,以确定已经遭受ESD事件的那些引线。同样的引线框架设计可以多次通过水射流清洁站,以确定在清洁步骤期间容易受损的那些导线。这是执行引线框架测试的优选技术。用于测试引线框架的其他技术可以包括对引线框架进行视觉检查以找出具有灼伤的引线。在某些情况下,灼伤的导线更容易经历摩擦充电,并且因此灼伤的大致位置可以被确定,并且这些导线可以被选择为易受ESD损伤。应理解,如果测试步骤58和60是在全功能引线框架上执行的,并且引线框架的实际裸片附接并且完全电连接,则测试将会更准确,因为它将响应封装将被交付给客户的实际的最终条件。在另一方面,重复地测试全操作的、完整的封装会导致这些封装受损,因而产生经济损失。相应地,在一个实施例中,优选地将虚设裸片附接到引线,并且在接合导线被附接的同时,虚设裸片不是全功能的裸片,因而,该测试成为对引线框架和接合导线敏感的有效测试。作为第一个测试,这将是一个可接受的测试,以定位那些由于接合导线的引线框架结构而易受ESD事件影响的引线74。相应地,仅用引线框架单独执行第一系列测试并且没有附接裸片,并且用虚设裸片执行第二系列测试将提供定位一些敏感引线74而不牺牲任何全功能封装或引线框架的益处。另外,测试可以作为制造过程本身的一部分来执行。即,在制造过程已经开始并且实际产品已经完成以销售给最终客户之后,在目视检查期间,可以对由于ESD事件而被损坏的那些引线进行记录。使用该记录,在执行步骤60时,可提供信息以修改步骤62的引线框架,使得在生产线中使用的后续引线框架已被修改以具有附加的受保护引线74b。另一种检测ESD敏感引脚的方法是在引线框架上附接良好的裸片,然后用高压水流对这些单元进行喷水。另一方面,单独的好的裸片将被附接在引线框架上,但不会受到水射流的影响。这些单元然后被切割并且然后使用设备工程师的适当测试程序进行电测试。来自电气测试的参数响应然后可以被比较,并且对ESD敏感的引脚可以被识别。在一个实施例中,有可能保护所有线索。即,来自引线框架总线72参见图5的附加电连接可以被提供给每个单引线74。虽然这可以在一些实施例中被执行,但是测试已经表明这不是必须的并且还会不适当地使过程复杂化。通常,每个封装只有少数引线74需要被保护。在一些情况下,这可能是一或两个引线,并且通常在具有超过50到100个引线的封装上少于10个引线。由于足够的保护可以通过测试对ESD事件敏感的引线来提供,并且只保护那些引线,因此通过仅保护需要保护的引线而不是所有引线,可以节省材料和可靠性。因此,虽然一个实施例的确考虑保护所有引线,但是可以执行一些初始测试以确定易受ESD损坏的那些引线74,并且仅保护那些引线提供高度可靠性以充分保护封装,同时降低制造过程中的难度以及一些引线在最终包装中一起短路的可能性。应该理解,如果每个引线74均被保护,这将导致引线框架设计显著地更加复杂,提供了从一个引线到另一引线意外短路的更大的可能性,并且使得最终的锯切步骤更加困难和精确,因为由于必须彼此电隔离的大量导线,所以存在更多的错误机会。相应地,优选地只保护测试显示易受ESD损害的那些引线。相应地,在步骤60中,容易受到ESD损害的那些引线在测试步骤58之后并且通过检查来定位。在步骤60中引线被定位之后,引线框架在步骤62中被修改以将电连接添加到所选择的引线。那些容易受到ESD损害的引线将被提供与引线框架的附加的电接地连接,如本文稍后相对于其他附图所示。在步骤62中引线框架被修改之后,然后在步骤64中封装芯片的制造用修改的引线框架阵列进行。使用具有附加电连接的修改的引线框架阵列,期望没有任何引线会由于摩擦充电或ESD事件而遭受损坏。如果少数引线被发现遭受损坏,则这将作为第二测试步骤58并且将是另一次测试步骤58被执行。之后,被损坏的那些引线将被确定为在步骤60中被定位,并且引线框架将被再次修改,如步骤62中所述。该过程可以对于步骤58到64中的每一个被重复,以确认所有容易受损的引线已经被定位和保护,因为在延长的时间段内诸如数周或数月制造过程对许多产品被执行。图5示出了如图4的步骤62中所教导的那样已经被修改的引线框架阵列。具体地,图5示出了引线框架阵列70,其上具有两个完整封装72,这些封装已经被封装并且具有封装在其中的裸片。每个封装上具有多个引线74。可以看出,标记为74a的一些引线与所有其他引线以及引线框架本身电隔离。另一方面,引线74b与其他引线电隔离,但是与引线框架本身是连续的电连接。即,引线74b具有引线框架的金属层,无论是铜、铝还是其他引线框架材料,其从引线框架材料本体延伸到封装顶部之上并且覆盖引线的上表面并且与引线的上表面物理接触。这将这些引线74b电连接到引线框架。引线框架将通过完成锯切步骤来接地,并且因此这样的芯片将免受ESD事件的影响,因为它们将通过引线框架本身接地。通过将引线74连接到被连接到引线框架侧轨78的总线,大量的电流可以从引线上被吸走,因而防止了由于摩擦充电、ESD事件或其他电荷而造成的任何损坏。在优选实施例中,到总线78的引线连接器具有与引线本身相似的宽度尺寸。这通过用于最右侧封装裸片的上侧上的引线74b的引线连接器来示出。在一些实施例中,要被保护的引线可以位于封装的内部区域中,如图5的引线框架的底部区域中所示。当然,需要保护的内部引线可能发生在封装上的任何位置,但出于说明的目的,仅出现在图5的底部区域中。对于这些引线,一根或多根细引线线路76被连接到引线74b,从而提供到引线框架的总线78的电连接。在某些情况下,只有一条引线线路76被连接到每条引线。在其他情况下,两条或更多条引线线路76可以被连接到引线以提供更稳健和可靠的电流路径,其一个示例在图5右下角示出。可以理解的是,引线线路76需要足够窄以不与相邻引线74电连接,引线74承载的电信号不同于保护引线74b上的电信号,并且还足够宽以承载电流以保护免受ESD事件。图6和图7是沿着图5的线6-6截取的横截面,以更完整地示出过程中的不同步骤处的封装裸片和引线框架的结构。图6示出了具有连接到裸片衬垫82的裸片80的横截面视图。一个或多个接合导线84将裸片80连接到单独的引线74。可以看出,引线74具有镀有合适层或一组层86的背侧。优选的电镀层86包括镍本身、或本领域已知的镍、钯、金或其他类型的电镀层86的组合。如图6所示的引线框架在所谓的背面蚀刻之前。即,在背面蚀刻之前,整个引线框架中的每个芯片仍然通过构成引线框架本身的电镀金属线连接。主引线框架本身具有通常由铜制成的连续层88。该引线框架层88在整个封装过程中将所有引线彼此电连接。当框架70被放置在模具中时,层88将整个引线框架作为单个连续件保持在一起,每个引线与其他引线电连接。裸片然后被封装在模塑化合物90中。一个封装在模塑化合物90中的引线框架具有完全装入其中的多个芯片,准备进行下一步骤。图7示出了背面蚀刻之后的引线框架阵列70。即,可以看出,铜引线框架在所有不存在电镀层86的位置被蚀刻掉。铜材料88的蚀刻将每个引线彼此电隔离。它还暴露封装芯片背面上的模塑化合物90的底部。图5示出了处于如图6所示状态的引线框架的底部,在铜蚀刻步骤之前,薄铜层将所有引线框架彼此电连接并且与各个引线电连接。图7示出了蚀刻步骤之后的引线框架阵列70,其中模塑化合物90现在被暴露。可以理解的是,在图5和图8的黑白图像中,它们看起来彼此非常相似,因为唯一的区别在于铜区域88已经在单个引线之间被去除,因此将它们彼此电隔离。引线框架总线78保持并继续将选定引线74b电连接到可接地的主引线框架70。图6和图7还示出了其中引线框架已被修改以提供对特定引线74b的保护的一个示例。具体地,图6示出了多个引线74,每个引线74在其底侧上均具有镀层86。在去除铜引线框架材料88期间,选择性蚀刻被执行,其选择性地去除铜并且不去除电镀层86。如前所述,镀层86可以是镍、钯和金的组合,或其他合适的镀层。相应地,镀层86起到掩模的作用,以防止在任何存在的地方蚀刻铜88。蚀刻在图6的结构上被执行,并且最终的蚀刻可以在图7中被看到。可以看到,在大多数情况下,每个引线74与每个其他引线电隔离。然而,对于一个或多个引线,期望保持连接到引线框架总线78的引线74。对于期望保持连接到引线框架总线78的引线的那些引线框架,电镀层86的图案被修改。具体地,图6示出了与裸片80和裸片衬垫82相关联的修改的镀层86m。该修改的镀层86m从引线74延伸到总线78。镀层86充当用于蚀刻构成主引线框架88的铜的掩模。相应地,当引线框架88的铜层的蚀刻被执行时,在修改的镀层86m下面的部分被保留。这创建了保护引线74b,其中引线保持电连接到总线78。该引线74b的底部平面图可以在图5中被看到。使用镀层86作为掩模来蚀刻引线框架88提供了非常低成本、快速且简单的方式来修改引线框架以创建受保护的引线74b。具体地,镀层86通常通过电镀作为覆盖层来施加,但其也可以通过沉积或其他技术来施加。根据标准实践,在被沉积为覆盖层之后,层86被选择性地蚀刻,以将电镀材料86留在希望保持它的那些位置处,如图6所示。根据本文提供的本发明公开内容的原理,简单的改变对覆盖层86的蚀刻掩模做出。具体地,对镀层86的蚀刻被修改以在希望使引线74保持连接到引线总线78的封装上的那些位置处留下一层镀层86。因此,镀层86将在铜的蚀刻期间保护引线框架88并保持从特定引线74b到引线框架总线78的电连接。尽管层86是相对较薄的层,但其在蚀刻过程期间用作掩模并因此保护引线框架的那部分,否则该引线框架部分将被蚀刻并用于保持任何特定的选定引线74b和引线框架总线78之间的完全电连接。这提供了一种简单、低成本且非常简单的技术来修改引线框架,以提供到需要ESD保护的那些引线74b的电连接。从图7中可以看出,被修改的镀层86m保护的那部分引线框架88保持未蚀刻。因此,这创建了连接到引线框架总线78的引线74b。尽管在图6和图7中仅示出单个示例74b,但应该理解的是,通过改变镀层86的图案,任何特定的引线74都可以保持电连接到引线框架总线78,并因此具有提供的ESD保护路径,如图5和图8所示。从图6和图7中可以看出,镀层86以及修改的区域86m是非常薄的层。它优选作为电镀被施加,并且将在引线框架88的最薄区域5至10倍薄的范围内。引线框架88的蚀刻在图6和图7之间被执行之后,引线74b将具有从其延伸的导电线,其电连接到引线框架总线78。该导电线将相对较薄,因为其唯一目的是提供到引线74b的主引线部分的电连接。它比引线74b的本体要薄很多,优选是2至3倍薄,并且在一些实施例中是5倍薄。它的顶部不具有涂覆层,因为它不会接收接合线84。该导电线直接由模塑化合物90覆盖,并且没有与其连接的任何接合线,并且没有被接合线覆盖。它延伸到如图9所示的封装的边缘,并且如图10中可以看到的那样,可以看作是与封装96的边缘相邻并且与边缘齐平的非常薄的金属片,因为切割封装的锯也将切割金属引线74b,留下引线74b的一部分与封装的边缘齐平。在图8所示的阶段中,引线框架阵列经历水射流清洁。它可以穿过现有技术中已知类型的水射流清洁站,如图1所示。在该水射流清洁期间,即使使用高压,所选引线74b也将被保护免受ESD事件、摩擦充电或由于电荷过载而造成的其他损坏。引线74b与总线78电短路。在适当的水射流清洁被执行之后,单个封装通过沿着锯线94锯切而彼此分割。可以理解的是,存在多条锯线94以去除引线框架70、总线78以及所有常见的电连接的所有痕迹。对锯线94的位置的选择被做出以确保引线框架70的所有部分从最终封装96被完全移除。具体地,锯线将足够靠近封装,使得实际上在锯切过程中一小部分封装可以被切割。这将确保在引线74b之间没有电条electricalstringer,如果它们中的一些碰巧彼此相邻。在大多数情况下,期望引线不会彼此相邻,因此,锯片沿着最外边缘去除所有金属是足够的。然而,在一些情况下,一个或多个引线74b可以彼此相邻,在这种情况下,更精确的锯切被优选地执行,以确保总线78的所有痕迹vestige从封装以及引线框架70的所有部分移除,以充分地并完全地电隔离每个引线74。图9示出了最终的封装裸片96,其中所有引线74彼此电隔离。可以看出,然而,引线74b仍然存在,因为它们与引线框架的总线78的连接已被去除,它们现在彼此电隔离。即,引线74的端在模塑化合物边缘处终止并且不存在紧靠该金属引线的金属连接,因此每条引线都保持电隔离,并可以适当地被焊接到母板或用于其他用途。在最终的封装中,已经被保护的引线74b将具有略微增大的引线区域的外观,并且将通常具有邻近封装自身的边缘延伸的引线区域。事实上,在一些实施例中,引线可能期望具有与封装边缘相邻的一些金属区域以提供增加的焊料可靠性。图10是图9中最上面的侧面的侧面正视图。从图10中可以看出,封装96包括模塑化合物90。有三条引线74具有到达底侧98上的封装96的边缘的较小、较薄的层。这些对应于图9的三条引线74。可以看出,这些导线非常小,因此不足以提供用于电连接到封装的侧壁焊接。它们也彼此电隔离。该图10示出了引线74的金属边缘与封装的边缘对齐,因为当锯将封装切割远离引线框架阵列时,它同时切割模塑化合物和引线74,从而将每个引线从另一个引线框架和引线框架整体电隔离。在一些情况下,锯将切割封装96的一小部分,以确保将整个引线框架被完全切除以电隔离每个引线74。上述各种实施例可以被组合以提供进一步的实施例。所有在本说明书中提及和或在申请数据表中列出的美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利出版物均通过引用整体并入本文。如果需要采用各种专利,申请和出版物的概念来提供另外的实施例,则实施例的各方面可以被修改。这些和其他改变可以根据以上具体实施方式而对这些实施例做出。通常,在以下权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限制在说明书和权利要求书中公开的特定实施例,而是应该被解释为包括所有可能的实施例以及这些权利要求的等同物的全部范围。相应地,权利要求不受本公开的限制。

权利要求:1.一种制造连接到引线框架阵列的半导体裸片封装的方法,包括:将半导体裸片附接到所述引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述裸片,并将第二端连接到所述引线框架的所述引线的第一侧;将所述半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述引线框架;仅移除所述引线框架的一部分以将第一组引线与所有其他引线电隔离,而不移除用于第二组引线的引线框架总线连接,所述引线框架总线连接使所述第二组引线的每个引线均电连接到所述引线框架总线并使所述第二组引线的每个引线彼此电连接;使所述引线框架阵列通过静电荷环境;将所述引线框架保持在电接地电位,以在所述静电充电事件期间提供从所述引线框架到地的电流路径;以及从所述引线框架阵列切割所述半导体裸片封装,所述切割包括去除每个引线到所述引线框架总线的所有电连接,并且将每个所述引线与所述半导体裸片封装的所有其他引线电隔离。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述切割步骤包括:使用机械锯从所述引线框架阵列锯切所述半导体裸片封装。3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:在测试序列期间使所述引线框架经受多个静电放电事件;检查所述引线框架的所述引线以确定在所述测试序列的所述静电放电事件期间哪些引线被损坏;以及修改所述引线框架以提供从所述引线框架到在所述测试序列期间由于静电放电事件而受到损害的引线的直接电连接和机械连接。4.根据权利要求3所述的方法,其中在所述测试序列期间连接到所述引线框架的所述裸片是虚设裸片。5.根据权利要求3所述的方法,其中在所述测试序列期间连接到所述引线框架的所述裸片是完全可操作的裸片,所述完全可操作的裸片被匹配以用于特定的引线框架阵列。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述静电荷环境是清洗完全封装的所述裸片的水射流清洗站。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述引线框架由第一金属制成。8.根据权利要求7的方法,进一步包括以下步骤:利用第二金属以覆盖层涂覆所述引线框架的所述第二侧,所述第二金属不同于所述第一金属;选择在期望将引线与所述引线框架和每个其他引线电隔离的位置处去除所述覆盖层;将涂覆层保留在每个独立的引线上,并且还将所述涂覆层保留在不位于一个引线上的位置中,所述一个引线位于连接所述一个引线与所述引线框架总线的所述第二组引线内。9.一种制造连接到引线框架阵列的半导体裸片封装的方法,包括:将第一操作半导体裸片附接到第一引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述第一裸片,并将第二端连接到所述第一引线框架阵列的所述引线的第一侧;将所述第一操作半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述引线框架阵列;使所述引线框架阵列通过静电荷环境;去除所述引线框架的一部分以将所有引线彼此电隔离并与所述引线框架电隔离;检查所述引线框架阵列以定位在所述引线框架阵列通过静电荷环境的步骤期间由于ESD事件而损坏的任何引线,以定位损坏的引线;修改所述第一引线框架阵列的设计以创建具有不同设计的第二引线框架阵列,所述第二引线框架阵列为来自引线框架总线的所述损坏的引线提供到地的电流路径;将第二操作半导体裸片附接到所述第二引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述第二裸片并将第二端连接到所述第二引线框架阵列的所述引线的第一侧;将所述第二操作半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述第二引线框架阵列;仅移除所述第二引线框架的一部分以将第一组引线与所有其他引线电隔离,而不移除用于第二组引线的引线框架总线连接,所述引线框架总线连接使所述第二组引线的每个引线均电连接到所述引线框架总线并使所述第二组引线的每个引线彼此电连接;使所述第二引线框架阵列通过静电荷环境;将所述第二引线框架阵列保持在电接地电位,以在所述静电充电事件期间提供从所述引线框架到地的电流路径;以及从所述第二引线框架阵列切割所述半导体裸片封装,所述切割包括去除每个引线到所述引线框架总线的所有电连接,并且将每个所述引线与所述半导体裸片封装的所有其他引线电隔离。10.根据权利要求9所述的方法,其中修改所述第一引线框架阵列的所述设计以创建第二引线阵列的步骤包括:修改覆盖所述第二引线框架阵列的涂覆层的图案,所述第二引线框架由第一金属构成,而所述涂覆层由第二金属构成。11.根据权利要求10所述的方法,其中所述涂覆层通过用所述第二金属电镀所述第二引线框架的所述第二侧来施加。12.根据权利要求10所述的方法,还包括:使用修改的所述涂覆层作为掩模来蚀刻具有修改的所述涂覆层的所述第二引线框架阵列,以防止蚀刻所述第二引线框架阵列的选定部分。13.一种半导体裸片封装,包括:由第一金属制成的引线框架,所述引线框架具有第一侧和第二侧;作为所述引线框架的一部分的裸片衬垫;作为所述引线框架的一部分的多个引线;半导体裸片,定位在所述裸片衬垫的第一侧上;多条导线,从所述裸片延伸到每个相应引线的第一侧;模塑化合物,用于封装每个相应引线的所述第一侧、所述裸片和所述导线;导电涂覆层,覆盖所述引线框架的所述第二侧并位于每个相应引线的所述第二侧上,所述导电层由与所述引线框架不同的材料制成;导电线,在所述封装的底侧上从所述引线延伸到所述封装的所述边缘,所述引线仅位于所述封装的所述底侧上并且在所述封装的侧壁上没有所述引线的任何部分;以及模塑化合物的一部分,直接覆盖所述导电线。14.根据权利要求13所述的半导体封装,其中在所述引线与所述封装的一侧之间的所述区域中的所述导电涂覆层的宽度比所述引线的宽度大。15.根据权利要求14所述的半导体封装,其中所述导电线从中延伸的所述引线是所述导电线的至少三倍厚。16.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述导电线由至少两层构成,所述至少两层是由第一金属制成的引线框架层和由第二金属制成的涂覆层。17.根据权利要求15所述的半导体封装,其中所述引线框架层是所述涂覆层的至少五倍厚。18.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述涂覆层用作掩模以防止在蚀刻步骤中蚀刻所述引线框架层。

百度查询: 意法半导体公司 在半导体芯片制造过程期间防止ESD

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