申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院

申请日：2021-11-15

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN114121818B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开

摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中所述半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干个柱状有源区，若干个所述柱状有源区之间通过沿第一方向延伸的若干个第一沟槽以及沿第二方向延伸的若干个第一沟槽分隔开，所述第一沟槽和第二沟槽连通，且所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；位于所述第二沟槽底部的半导体衬底中的若干第三沟槽，所述第三沟槽向柱状有源区的底部凹陷，所述第三沟槽的底部表面高于所述第一沟槽的底部表面；位于所述若干第三沟槽中和所述若干柱状有源区底部的半导体衬底中的沿第一方向延伸的若干条金属硅化物位线。所述半导体器件的集成度以及金属硅化物位线的电学性能提高。

主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成若干个柱状有源区，若干个所述柱状有源区之间通过沿第一方向延伸的若干个第一沟槽以及沿第二方向延伸的若干个第二沟槽分隔开，所述第一沟槽和所述第二沟槽连通，且所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；在所述第一沟槽中填充第一隔离层，所述第一隔离层的顶部表面不高于所述第二沟槽的底部表面；刻蚀共同位于所述第二沟槽底部之间以及所述第一隔离层之间的所述半导体衬底，在所述第二沟槽底部的所述半导体衬底中形成向所述柱状有源区底部凹陷的若干个第三沟槽，所述第三沟槽的底部表面高于所述第一沟槽的底部表面；在所述第三沟槽的底部和所述柱状有源区的底部的所述半导体衬底中形成沿所述第一方向延伸的若干条金属硅化物位线。

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权利要求：

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