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【发明授权】一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用_万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司_202210235074.8 

申请/专利权人:万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司

申请日:2022-03-11

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN114591686B

主分类号:C09G1/02

分类号:C09G1/02;C23F3/04;C23F11/10;C23F11/14;H01L21/768

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2022.06.24#实质审查的生效;2022.06.07#公开

摘要:本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用,该抛光液包含研磨颗粒、双组分腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂和氧化剂,余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中,本发明的双组分腐蚀抑制剂通过竞争吸附在铜的凹陷处形成保护膜;随着CMP的进行,腐蚀抑制剂分子膜会呈现“刹车”效应,使得铜的抛光速率逐渐降低,以达到全局平坦化的效果,改善抛光后晶圆的表面质量。

主权项:1.一种铜阻挡层化学机械抛光液,其特征在于,包括以质量百分数计的以下组分:4%~20%的研磨颗粒、0.005%-4%的腐蚀抑制剂、0.1%~4%的络合剂、0.05%~4%的润湿剂、pH调节剂、0.1%~2%氧化剂,余量为水;所述的腐蚀抑制剂为双组分腐蚀抑制剂,其中一种组分为苯并三氮唑;另一种组分选自乙酰唑胺或5-氨基-1,3,4-氧二唑-2-甲酸乙酯中的一种或两种;所述的双组分腐蚀抑制剂中,苯并三氮唑占腐蚀抑制剂总质量分数的13~23;调节后铜阻挡层化学机械抛光液的pH范围为9~11。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司 一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用

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