申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2017-08-01

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN109564872B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/768;H05H1/46

优先权：["20160805 JP 2016-154663"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2019.04.26#实质审查的生效;2019.04.02#公开

摘要：一实施方式的方法包括：a第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及b第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。

主权项：1.一种处理被处理体的方法，其是使用等离子体处理装置对被处理体进行蚀刻的方法，所述等离子体处理装置具备保持所述被处理体的保持结构体及容纳该保持结构体的处理容器，所述保持结构体能够在所述处理容器内绕设置于该处理容器的倾斜轴转动360度，所述倾斜轴与所述保持结构体相交，所述倾斜轴的轴线与设置于所述处理容器内的顶棚侧的上部电极的电极板的表面、及保持于所述保持结构体的所述被处理体的表面平行，在由所述保持结构体保持的所述被处理体的所述表面与所述电极板的所述表面平行且相互面对的状态下，该被处理体的第1中心轴线与所述处理容器的第2中心轴线重叠，并且该第1中心轴线的第1方向与该第2中心轴线的第2方向相同，所述第1中心轴线垂直于所述被处理体的所述表面，所述第1方向朝向所述被处理体的所述表面的上方，所述第2中心轴线垂直于所述电极板的所述表面，所述第2方向从所述处理容器的底部侧朝向设置于该处理容器的顶棚侧的所述电极板，所述第1中心轴线通过所述保持结构体绕所述倾斜轴转动，而相对于所述第2中心轴线倾斜，该方法包括：第1工序，在维持所述第1方向与所述第2方向成第1角度的状态下，在由所述保持结构体保持有所述被处理体的所述处理容器内产生等离子体；及第2工序，在实施所述第1工序后，在维持所述第1方向与所述第2方向成第2角度的状态下，在由所述保持结构体保持有所述被处理体的所述处理容器内产生等离子体；所述第1角度及所述第2角度为-180度以上且+180度以下，所述被处理体具备层叠区域及设置于该层叠区域之上的掩模，所述层叠区域具备多个第1层及多个第2层，所述第1层与所述第2层沿着层叠方向交替地层叠，与所述第2层相比，所述第1层是各向同性蚀刻为主导性的层，所述第1角度的绝对值小于所述第2角度的绝对值，在所述第1工序中，使用所述掩模在所述层叠方向上对所述层叠区域进行蚀刻，通过该蚀刻，在所述层叠区域内形成槽，在所述第2工序中，选择性地对露出于所述槽的内侧的所述第1层进行蚀刻。

全文数据：处理被处理体的方法技术领域本发明的实施方式涉及一种处理被处理体的方法。背景技术在半导体器件之类的电子器件的制造工艺中，在被处理层上形成掩模，并进行蚀刻以将该掩模的图案转印至该被处理层。作为掩模，一般使用抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模通过光刻技术而形成。因此，形成于被蚀刻层的图案的极限尺寸因通过光刻技术形成的抗蚀剂掩模的分辨极限或图案密度等受到影响，近年来，伴随着电子器件的高集成化，逐渐要求形成比抗蚀剂掩模的分辨极限小的尺寸的图案。因此，如专利文献1所记载那样，提出有如下技术：通过在抗蚀剂掩模上形成氧化硅膜，而调节该抗蚀剂掩模的尺寸，从而缩小由该抗蚀剂掩模提供的开口的宽度。在专利文献1所公开的微细图案形成方法中，在欲形成微细图案的物质膜上形成光致抗蚀剂图案并在其上蒸镀氧化硅膜，但必须不对下部的光致抗蚀剂图案造成损伤而以保形形成为较薄。而且，其后对下部膜实施干式蚀刻，但起初是在光致抗蚀剂图案的侧壁形成间隔物，接着在光致抗蚀剂图案上形成聚合物膜。以往技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开2004-80033号公报发明内容发明要解决的技术课题另一方面，因伴随着近年来电子器件的高集成化的微细化，在被处理体上形成图案时，存在要求对最小线宽CD：CriticalDimension，临界尺寸或图案形状的高精度的控制的情况，有可能如专利文献1的方法那样伴有工艺的复杂化。尤其期望一种如下目的的技术，即，不伴有工艺的复杂化而以比较高的选择比对利用离子进行的蚀刻为主导性的材料的层及利用自由基进行的蚀刻为主导性的材料的层进行蚀刻。用于解决技术课题的手段在一方式中，提供一种使用等离子体处理装置对被处理体进行蚀刻的方法。等离子体处理装置具备保持被处理体的保持结构体及容纳保持结构体的处理容器。保持结构体能够在处理容器内绕设置于处理容器的倾斜轴转动360度。倾斜轴与保持结构体相交。倾斜轴的轴线与设置于处理容器内的顶棚侧的上部电极的电极板的表面、及保持于保持结构体的被处理体的表面平行。在由保持结构体保持的被处理体的表面与电极板的表面平行且相互面对的状态下，被处理体的第1中心轴线与处理容器的第2中心轴线重叠，并且第1中心轴线的第1方向与第2中心轴线的第2方向相同。第1中心轴线垂直于被处理体的表面。第1方向朝向被处理体的表面的上方。第2中心轴线垂直于电极板的表面。第2方向从处理容器的底部侧朝向设置于处理容器的顶棚侧的电极板。第1中心轴线通过保持结构体绕倾斜轴转动，而相对于第2中心轴线倾斜。该方法包括：a第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，在由保持结构体保持有被处理体的处理容器内产生等离子体；及b第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，在由保持结构体保持有被处理体的处理容器内产生等离子体。第1角度及第2角度为-180度以上且+180度以下，第1角度的绝对值与第2角度的绝对值不同。在上述方法中，在第1工序及第2工序中，保持被处理体的保持结构体的朝向不同，因此在各工序中，能够不使处理工艺复杂化而容易地利用因处理容器内产生的等离子体引起的离子密度之差。尤其在处理容器内，能够不使气体状态或等离子体状态等变化，而通过改变保持结构体的朝向，容易地利用离子密度之差。在一实施方式中，能够为如下：被处理体具备层叠区域及设置于层叠区域之上的掩模，层叠区域具备多个第1层及多个第2层，第1层与第2层沿着层叠方向交替地层叠，与第2层相比，第1层是各向同性蚀刻为主导性的层，第1角度的绝对值小于第2角度的绝对值，在第1工序中，使用掩模在层叠方向上对层叠区域进行蚀刻，通过蚀刻而在层叠区域内形成槽，在第2工序中，对露出于槽的内侧的第1层进行蚀刻。如此，在第1工序及第2工序中，保持被处理体的保持结构体的朝向不同，因此能够利用处理容器内的离子密度之差，因此，通过改变保持结构体的朝向，能够容易地切换对各向同性蚀刻为主导性的层的蚀刻、及对各向异性蚀刻为主导性的层的蚀刻。在一实施方式中，被处理体具备抗反射膜及设置于抗反射膜上的掩模，第1角度的绝对值大于第2角度的绝对值，掩模是各向同性蚀刻为主导性的层，在第1工序中，对掩模的表面进行改性，在第2工序中，使用掩模对抗反射膜进行蚀刻。如此，在对各向同性蚀刻为主导性的掩模的表面进行改性的第1工序中，第1角度的绝对值大于第2角度的绝对值，由此，被处理体远离电极板，因此被处理体的附近的离子密度变低，而能够避免因实施这样的第1工序引起的掩模形状的劣化。在一实施方式中，第1角度及第2角度中的绝对值较小的一方的角度在-30度以上且+30度以下的范围内，绝对值较大的一方的角度在-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内。处理容器内产生的等离子体引起的离子密度之差在保持结构体的第1方向与第2方向所成的角度在-30度以上且+30度以下的范围内的情况、以及在-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内的情况下可充分不同。发明效果如上说明，提供一种如下目的的技术，即，不伴有工艺的复杂化而以比较高的选择比对利用离子进行的蚀刻为主导性的材料的层及利用自由基进行的蚀刻为主导性的材料的层进行蚀刻。附图说明图1是说明一实施方式的处理被处理体的方法的流程图。图2是概略性地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。图3是概略性地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。图4是表示经脉冲调制的偏置电压的图。图5是表示一实施方式的等离子体源的图。图6是表示一实施方式的等离子体源的图。图7是表示一实施方式的保持结构体的剖视图。图8是表示一实施方式的保持结构体的剖视图。图9是表示图1所示的方法的一实施例的流程图。图10包括a部～c部，图10的a部表示图9所示的方法的处理前的晶片的截面结构，图10的b部～c部表示图9所示的方法的各处理后的晶片的截面结构。图11是表示图1所示的方法的一实施例的流程图。图12包括a部～c部，图12的a部表示图11所示的方法的处理前的晶片的截面结构，图12的b部～c部表示图11所示的方法的各处理后的晶片的截面结构。图13是表示图1所示的方法的一实施例的流程图。图14包括a部～c部，图14的a部表示图13所示的方法的处理前的晶片的截面结构，图14的b部～c部表示图13所示的方法的各处理后的晶片的截面结构。具体实施方式以下，参考附图，对各种实施方式详细地进行说明。另外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的符号。图1是表示一实施方式的方法的流程图。图1所示的一实施方式的方法MT是处理被处理体以下有时称为“晶片”的方法。如图1所示，方法MT包括工序ST1～ST3。图2及图3是表示等离子体处理装置的一例等离子体处理装置10的图。在图2中，表示有后述保持结构体未倾斜的状态的等离子体处理装置，在图3中，表示有保持结构体倾斜的状态的等离子体处理装置。图2及图3是概略性地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。更具体而言，在图2及图3中，概略性地表示有在处理被处理体的方法的各种实施方式中能够利用的等离子体处理装置的截面结构，在包含沿着铅垂方向延伸的轴线PX处理容器12的第2中心轴线的一平面中将处理容器断裂，而表示这些离子体处理装置。如图2及图3所示，等离子体处理装置10是电容耦合型等离子体蚀刻装置。图2及图3所示的等离子体处理装置10具备处理容器12、气体供给系统14、等离子体源16上部电极、保持结构体18、排气系统20、偏置电力供给部22、及控制部Cnt。处理容器12具有大致圆筒形状。处理容器12的中心轴线与轴线PX一致。该处理容器12提供用于对晶片W进行等离子体处理的空间S。轴线PX沿着从设置有等离子体源16上部电极的电介质板194电极板等的处理容器12的顶棚侧朝向设置有保持结构体18或自动压力控制器20a等的处理容器12的底部侧的方向延伸。另外，在图2及图3中，表示有用于确定处理容器12的内部的位置的XYZ正交坐标系所谓确定是指找出，以下相同。XYZ正交坐标系包括相互垂直的X轴、Y轴、Z轴、及它们三个轴相交的原点OR。能够设为，图2是朝向Y方向观察等离子体处理装置10的内部的图，图3是朝向与X方向相反的方向观察等离子体处理装置10的内部的图。轴线PX与Z轴一致，位于YZ面，且与XY面正交。在一实施方式中，处理容器12在处理容器12的高度方向的中间部分12a、即容纳保持结构体18的部分具有大致恒定的宽度。并且，处理容器12形成为宽度随着从中间部分12a的下端朝向底部逐渐变窄的锥形。并且，处理容器12的底部提供排气口12e，排气口12e相对于轴线PX轴对称地形成。气体供给系统14构成为将气体供给至处理容器12内。气体供给系统14具有气体供给部14a及气体喷出孔14e。在下文对气体供给系统14的详细情况进行叙述。等离子体源16构成为使供给至处理容器12内的气体激发。在一实施方式中，等离子体源16设置于处理容器12的顶部。等离子体源16的中心轴线与轴线PX一致。另外，在下文对与等离子体源16的一例有关的详细情况进行叙述。保持结构体18构成为在处理容器12内保持晶片W。该保持结构体18构成为能够以与轴线PX正交的第1轴线AX1为中心转动。第1轴线AX1的轴线与设置于处理容器12内的顶棚侧的等离子体源16上部电极的电介质板194电极板的表面194a、及保持于保持结构体18的晶片W的表面FS平行。第1轴线AX1与倾斜轴部50倾斜轴的中心轴线一致。并且，保持结构体18构成为使晶片W以与第1轴线AX1正交的第2轴线AX2晶片W的第1中心轴线为中心旋转。保持结构体18通过以第1轴线AX1为中心的旋转，而能够相对于轴线PX倾斜。保持结构体18能够在处理容器12内绕设置于处理容器12的倾斜轴部50转动自转360度。为了使保持结构体18倾斜，等离子体处理装置10具有驱动装置24。驱动装置24设置于处理容器12的外部，产生用于使保持结构体18以第1轴线AX1为中心转动的驱动力。另外，晶片W例如对应于后述图10的a部所示的晶片W1、图12的a部所示的晶片W2、图14的a部所示的晶片W3中的任一者。第1轴线AX1平行于水平基准面FA1、XY面、及X轴而延伸，与Y轴及Z轴正交，且与铅垂基准面FA2正交。水平基准面FA1与轴线PX正交，包含原点OR，与Z轴正交，且与XY面重叠。水平基准面FA1包含载置于保持结构体18的保持部30上的晶片W的表面FS。铅垂基准面FA2与YZ面一致，与水平基准面FA1、XY面、X轴、第1轴线AX1正交，且包含轴线PX、第2轴线AX2、原点OR。第1轴线AX1与轴线PX、第2轴线AX2、铅垂基准面FA2正交，且与倾斜轴部50的中心轴线一致。晶片W的表面FS与铅垂基准面FA2、第2轴线AX2正交，且平行于X轴、第1轴线AX1而延伸。第2轴线AX2垂直于晶片W的表面FS。第2轴线AX2与晶片W的中心轴线一致。第2轴线AX2通过晶片W的表面FS的中心CE。轴线PX与第1轴线AX1在一点的交叉点XO交叉。在第2轴线AX2相对于轴线PX倾斜的情况下，轴线PX、第1轴线AX1与第2轴线AX2在交叉点XO交叉。交叉点XO位于第1轴线AX1，且位于铅垂基准面FA2、YZ面、及ZX面。在保持结构体18未倾斜的状态下，如图2所示，第2轴线AX2与轴线PX一致。在该状态的情况下，晶片W的表面FS与轴线PX正交，与水平基准面FA1、XY面重叠，且包含原点OR。表面FS的中心CE与原点OR一致，分别位于轴线PX、第2轴线AX2。第2轴线AX2与轴线PX重叠，且包含原点OR。从晶片W的表面FS的中心CE至电介质板194的表面194a的距离为L[mm]，从中心CE至交叉点XO的距离为R[mm]。另外，在一实施方式中，为了方便说明，原点OR设为如上述那样与晶片W的表面FS的中心CE一致，但并不限于此。在保持结构体18未倾斜的状态下，由保持结构体18保持的晶片W的表面FS与电介质板194的表面194a平行且相互面对，从而晶片W的中心轴线第2轴线AX2与处理容器12的中心轴线轴线PX重叠，并且第2轴线AX2的第1方向VL1与轴线PX的第2方向VL2相同。第2轴线AX2垂直于晶片W的表面FS。第1方向VL1朝向晶片W的表面FS的上方。轴线PX垂直于位于处理容器12的顶棚侧的电介质板194的表面194a。第2方向VL2从处理容器12的底部侧朝向设置于处理容器12的顶棚侧的电介质板194。另一方面，如图3所示，在保持结构体18倾斜的状态下，第2轴线AX2相对于轴线PX倾斜。第2轴线AX2通过保持结构体18绕第1轴线AX1转动自转，而相对于第2轴线AX2倾斜。第2轴线AX2的倾斜角AN是第2轴线AX2与轴线PX所成的角度。倾斜角AN是YZ面内的角。第2轴线AX2与轴线PX位于YZ面。第2轴线AX2的倾斜角AN的值φ以如下方式确定，即，在如图3所示那样以晶片W的表面FS朝向-Y方向的方式使保持结构体18以第1轴线AX1为中心转动而倾斜的情况下取正值。在以晶片W的表面FS朝向+Y方向的方式使保持结构体18以第1轴线AX1为中心转动而倾斜的情况下取负值。即，φ在-180度以上且+180以下的范围内。并且，第2轴线AX2的倾斜角AN的值φ也为第2轴线AX2的第1方向VL1与轴线PX的第2方向VL2所成的角度的值。在第2轴线AX2与轴线PX一致的情况保持结构体18未倾斜的情况下，第2轴线AX2的倾斜角AN的值φ为零。在下文对保持结构体18的详细情况进行叙述。若将从晶片W的表面FS的中心CE至电介质板194的表面194a的距离设为H[mm]，则H可由H＝L+R×1-cosφ[mm]表示。若φ在0度以上且+180度以下的范围内单调递增，则H也单调递增，若φ在-180度以上且0度以下的范围内单调递增，则H单调递减。在φ为0度的情况下，H成为最小值H＝L[mm]，在φ为±180度的情况下，H成为最大值H＝L+2×R[mm]。在在空间S内产生等离子体的情况下，晶片W的表面FS的中心CE的电子密度值NE可通过全局模型进行估算。所谓全局模型是近似均匀的圆筒形状的等离子体而成的模型。在圆筒形状内，由于离子的产生速度与损失速度相等，因此只要确定圆筒形状的结构及压力，则可算出电子温度，只要确定电子温度及输入电力，则可算出电子密度值NE。若使用该模型，则电子密度值NE可大致与1H成正比NE∝1H。因此，若考虑1H＝1L+R×1-cosφ，则关于晶片W的表面FS的中心CE的电子密度值NE，若φ在0度以上且+180度以下的范围内单调递增，则NE单调递减，若φ在-180度以上且0度以下的范围内单调递增，则NE也单调递增。在φ为0度的情况下，NE成为最大值，在φ为±180度的情况下，NE成为最小值。即，在φ在0度附近的情况下例如在-30度以上且+30度以下的范围内的情况下NE比较大，因此适于各向异性蚀刻，在φ在±180度附近的情况下例如在-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围的情况下NE比较小，因此适于各向同性蚀刻。排气系统20构成为对处理容器12内的空间减压。在一实施方式中，排气系统20包含自动压力控制器20a、涡轮分子泵20b、及干式真空泵20c。涡轮分子泵20b设置于自动压力控制器20a的下游。干式真空泵20c经由阀20d而直接连接于处理容器12内的空间。并且，干式真空泵20c经由阀20e设置于涡轮分子泵20b的下游。包含自动压力控制器20a及涡轮分子泵20b的排气系统安装于处理容器12的底部。并且，包含自动压力控制器20a及涡轮分子泵20b的排气系统设置于保持结构体18的正下方。因此，在这些离子体处理装置10中，能够形成从保持结构体18的周围至排气系统20的均匀的排气流。由此，能够实现高效率的排气。并且，能够使在处理容器12内产生的等离子体均匀地扩散。在一实施方式中，也可在处理容器12内设置有整流部件26。整流部件26具有在下端闭合的大致筒形状。该整流部件26以从侧方及下方包围保持结构体18的方式，沿着处理容器12的内壁面延伸。在一例中，整流部件26具有上部26a及下部26b。上部26a具有恒定宽度的圆筒形状，且沿着处理容器12的中间部分12a的内壁面延伸。并且，下部26b在上部26a的下方与上部26a连续。下部26b具有沿着处理容器12的内壁面宽度逐渐变窄的锥形状，在其下端形成平板状。在该下部26b，形成有多个开口贯穿孔。通过该整流部件26，能够在整流部件26的内侧即容纳晶片W的空间与整流部件26的外侧即排气侧的空间之间形成压力差，从而能够调整容纳晶片W的空间中的气体的滞留时间。并且，能够实现均等的排气。偏置电力供给部22构成为将用于将离子引入至晶片W的偏置电压及高频偏置电力选择性地施加于保持结构体18。在一实施方式中，偏置电力供给部22包含第1电源22a及第2电源22b。第1电源22a产生经脉冲调制的直流电压以下称为“调制直流电压”作为施加于保持结构体18的偏置电压。图4是表示经脉冲调制的直流电压的图。如图4所示，调制直流电压是电压值取高电平的期间TH与取低电平的期间TL交替反复的电压。调制直流电压例如可设定为0～1200[V]的范围内的电压值。调制直流电压的高电平的电压值是在该电压值的范围内设定的电压值，调制直流电压的高电平的电压值是低于该高电平的电压值的电压值。如图4所示，期间TH与和期间TH连续的期间TL的合计构成1周期TC。并且，调制直流电压的脉冲调制的频率为1TC。脉冲调制的频率虽可任意设定，但为能够形成能够使离子加速的鞘sheath的频率，例如为400[kHz]。并且，导通占空比on-dutyratio即期间TH在1周期TC中所占的比率为10～90％的范围内的比率。第2电源22b构成为将用于将离子引入至晶片W的高频偏置电力供给至保持结构体18。该高频偏置电力的频率为适于将离子引入至晶片W的任意频率，优选为400[kHz]以上且13[MHz]以下，例如为400[kHz]。在等离子体处理装置10中，能够将来自第1电源22a的调制直流电压及来自第2电源22b的高频偏置电力选择性地供给至保持结构体18。选择性地供给调制直流电压及高频偏置电力可由控制部Cnt控制。控制部Cnt例如为具备处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机。控制部Cnt按照基于所输入的配方的程序动作，而发送控制信号。等离子体处理装置10的各部由来自控制部Cnt的控制信号控制。控制部Cnt尤其使用等离子体处理装置10的各部执行图1的流程图所示的方法MT。以下，分别对气体供给系统14、等离子体源16、保持结构体18进行说明。[气体供给系统]如上所述，气体供给系统14具有气体供给部14a。气体供给部14a经由一个以上的气体喷出孔14e将处理气体供给至处理容器12内。在图2中，气体喷出孔14e的个数为“1”，但也可设置有多个气体喷出孔14e。多个气体喷出孔14e也可相对于轴线PX沿着圆周方向均等地排列。气体供给部14a可包含一个以上的气体源、一个以上的流量控制器、及一个以上的阀。因此，能够调整来自气体供给部14a的一个以上的气体源的处理气体的流量。来自气体供给部14a的处理气体的流量及该处理气体的供给时刻由控制部Cnt个别地调整。[等离子体源]图5是表示一实施方式的等离子体源的图，且是表示从图2的Y方向观察的等离子体源的图。并且，图6是表示一实施方式的等离子体源的图，且是表示从铅垂方向观察的等离子体源。如图2及图5所示，在处理容器12的顶部设置有开口，该开口由电介质板194封闭。电介质板194为板状体，由石英玻璃、或陶瓷构成。等离子体源16设置于该电介质板194上。更具体而言，如图5及图6所示，等离子体源16包含高频天线140、及屏蔽部件160。高频天线140被屏蔽部件160覆盖。在一实施方式中，高频天线140包括内侧天线元件142A、及外侧天线元件142B。内侧天线元件142A比外侧天线元件142B更靠近轴线PX地设置。换句话说，外侧天线元件142B以包围内侧天线元件142A的方式设置于内侧天线元件142A的外侧。内侧天线元件142A及外侧天线元件142B分别例如由铜、铝、不锈钢等导体构成，且以轴线PX为中心以螺旋状延伸。内侧天线元件142A及外侧天线元件142B均被多个夹持体144夹持而成为一体。多个夹持体144例如为棒状部件，相对于轴线PX以放射状配置。屏蔽部件160具有内侧屏蔽壁162A及外侧屏蔽壁162B。内侧屏蔽壁162A具有沿着铅垂方向延伸的筒形状，设置于内侧天线元件142A与外侧天线元件142B之间。该内侧屏蔽壁162A包围内侧天线元件142A。并且，外侧屏蔽壁162B具有沿着铅垂方向延伸的筒形状，以包围外侧天线元件142B的方式设置。在内侧天线元件142A上设置有内侧屏蔽板164A。内侧屏蔽板164A具有圆盘形状，且以堵塞内侧屏蔽壁162A的开口的方式设置。并且，在外侧天线元件142B上设置有外侧屏蔽板164B。外侧屏蔽板164B为环状板，以堵塞内侧屏蔽壁162A与外侧屏蔽壁162B之间的开口的方式设置。在内侧天线元件142A、外侧天线元件142B分别连接有高频电源150A、高频电源150B。高频电源150A及高频电源150B是用于产生等离子体的高频电源。高频电源150A及高频电源150B分别对内侧天线元件142A及外侧天线元件142B供给相同频率或不同频率的高频电力。例如，若从高频电源150A以规定功率将规定频率例如40[MHz]的高频电力供给至内侧天线元件142A，则通过形成于处理容器12内的感应磁场，激发导入至处理容器12内的处理气体，而在晶片W上的中央部产生圆环型等离子体。并且，若从高频电源150B以规定功率将规定频率例如60[MHz]的高频供给至外侧天线元件142B，则通过形成于处理容器12内的感应磁场，激发导入至处理容器12内的处理气体，而在晶片W上的周缘部产生不同的圆环型等离子体。通过这些等离子体，从处理气体产生自由基。另外，从高频电源150A及高频电源150B输出的高频电力的频率并不限于上述频率。例如，从高频电源150A及高频电源150B输出的高频电力的频率也可为13.56[MHz]、27[MHz]、40“MHz”、60[MHz]之类的各种频率。但是，需要根据从高频电源150A及高频电源150B输出的高频，调整内侧天线元件142A及外侧天线元件142B的电长度。这些离子体源16即便在1[mTorr]0.1333[Pa]的压力环境下也能够将处理气体的等离子体点火。在低压环境下，等离子体中的离子的平均自由行程变大。因此，能够通过稀有气体原子的离子的溅射进行蚀刻。并且，在低压环境下，能够一边抑制已被蚀刻的物质再次附着于晶片W，一边将该物质排气。[保持结构体]图7及图8是表示一实施方式的保持结构体的剖视图。在图7中，表示有从Y方向参考图2观察的保持结构体的剖视图，在图8中，表示有从X方向参考图2观察的保持结构体的剖视图。如图7及图8所示，保持结构体18具有保持部30、容器部40、及倾斜轴部50。保持部30是保持晶片W且通过以第2轴线AX2为中心旋转而使晶片W旋转的机构。另外，如上所述，第2轴线AX2在保持结构体18未倾斜的状态下，与轴线PX一致。该保持部30具有静电卡盘32、下部电极34、旋转轴部36、及绝缘部件35。静电卡盘32构成为在其上表面保持晶片W。静电卡盘32具有以第2轴线AX2作为其中心轴线的大致圆盘形状，且具有作为绝缘膜的内层设置的电极膜。静电卡盘32通过对电极膜施加电压而产生静电力。通过该静电力，静电卡盘32吸附载置于其上表面的晶片W。对该静电卡盘32与晶片W之间供给He气体之类的传热气体。并且，在静电卡盘32内，也可内置有用于对晶片W加热的加热器。该静电卡盘32设置于下部电极34上。下部电极34具有以第2轴线AX2作为其中心轴线的大致圆盘形状。在一实施方式中，下部电极34具有第1部分34a及第2部分34b。第1部分34a是沿着第2轴线AX2延伸的下部电极34的中央侧的部分，第2部分34b是比第1部分34a更远离第2轴线AX2、即在比第1部分34a更靠外侧延伸的部分。第1部分34a的上表面及第2部分34b的上表面连续，由第1部分34a的上表面及第2部分34b的上表面构成下部电极34的大致平坦的上表面。静电卡盘32与该下部电极34的上表面相接触。并且，第1部分34a突出至比第2部分34b更靠下方，且形成圆柱状。即，第1部分34a的下表面在比第2部分34b的下表面更靠下方延伸。该下部电极34由铝之类的导体构成。下部电极34与上述偏置电力供给部22电连接。即，能够对下部电极34选择性地供给来自第1电源22a的调制直流电压、及来自第2电源22b的高频偏置电力。并且，在下部电极34设置有制冷剂流路34f。通过对该制冷剂流路34f供给制冷剂，而控制晶片W的温度。该下部电极34设置于绝缘部件35上。绝缘部件35由石英、氧化铝等绝缘体构成，具有在中央形成有开口的大致圆盘形状。在一实施方式中，绝缘部件35具有第1部分35a及第2部分35b。第1部分35a是绝缘部件35的中央侧的部分，第2部分35b是比第1部分35a更远离第2轴线AX2、即在比第1部分35a更靠外侧延伸的部分。第1部分35a的上表面在比第2部分35b的上表面更靠下方延伸，并且，第1部分35a的下表面也在比第2部分35b的下表面更靠下方延伸。绝缘部件35的第2部分35b的上表面与下部电极34的第2部分34b的下表面相接触。另一方面，绝缘部件35的第1部分35a的上表面与下部电极34的下表面分离。旋转轴部36具有大致圆柱形状，与下部电极34的下表面结合。具体而言，该旋转轴部36与下部电极34的第1部分34a的下表面结合。旋转轴部36的中心轴线与第2轴线AX2一致。通过对该旋转轴部36赋予旋转力，保持部30旋转。包含这样的各种元件的保持部30与容器部40一起形成中空的空间作为保持结构体18的内部空间。容器部40包含上侧容器部42、及外侧容器部44。上侧容器部42具有大致圆盘形状。在上侧容器部42的中央，形成有供旋转轴部36通过的贯穿孔。该上侧容器部42在绝缘部件35的第2部分35b的下方，以对第2部分35b提供稍微的间隙的方式设置。并且，在上侧容器部42的下表面周缘结合有外侧容器部44的上端。外侧容器部44具有在下端封闭的大致圆筒形状。在容器部40与旋转轴部36之间设置有磁性流体密封部52。磁性流体密封部52具有内圈部52a及外圈部52b。内圈部52a具有与旋转轴部36同轴地延伸的大致圆筒形状，且固定于旋转轴部36。并且，内圈部52a的上端部与绝缘部件35的第1部分35a下表面结合。该内圈部52a与旋转轴部36一起以第2轴线AX2为中心旋转。外圈部52b具有大致圆筒形状，且与内圈部52a同轴地设置于内圈部52a的外侧。外圈部52b的上端部与上侧容器部42的中央侧部分的下表面结合。在这些内圈部52a与外圈部52b之间设置有磁性流体52c。并且，在磁性流体52c的下方，在内圈部52a与外圈部52b之间设置有轴承53。该磁性流体密封部52提供将保持结构体18的内部空间气密地密封的密封结构。通过该磁性流体密封部52，保持结构体18的内部空间与等离子体处理装置10的空间S分离。另外，在等离子体处理装置10中，保持结构体18的内部空间被维持为大气压。在一实施方式中，在磁性流体密封部52与旋转轴部36之间设置有第1部件37及第2部件38。第1部件37具有沿着旋转轴部36的外周面的一部分即后述第3筒状部36d的上侧部分的外周面以及下部电极34的第1部分34a的外周面延伸的大致圆筒形状。并且，第1部件37的上端具有沿着下部电极34的第2部分34b的下表面延伸的环状板形状。该第1部件37与第3筒状部36d的上侧部分的外周面、以及下部电极34的第1部分34a的外周面及第2部分34b的下表面相接触。第2部件38具有沿着旋转轴部36的外周面即第3筒状部36d的外周面、以及第1部件37的外周面延伸的大致圆筒形状。第2部件38的上端具有沿着绝缘部件35的第1部分35a的上表面延伸的环状板形状。第2部件38与第3筒状部36d的外周面、第1部件37的外周面、绝缘部件35的第1部分35a的上表面、及磁性流体密封部52的内圈部52a的内周面相接触。在该第2部件38与绝缘部件35的第1部分35a的上表面之间设置有O型环之类的密封部件39a。并且，在第2部件38与磁性流体密封部52的内圈部52a的内周面之间设置有O型环之类的密封部件39b及密封部件39c。通过该结构，将旋转轴部36与磁性流体密封部52的内圈部52a之间密封。由此，即便在旋转轴部36与磁性流体密封部52之间存在间隙，保持结构体18的内部空间也与等离子体处理装置10的空间S分离。在外侧容器部44，沿着第1轴线AX1形成有开口。在形成于外侧容器部44的开口，嵌入有倾斜轴部50的内侧端部。倾斜轴部50具有大致圆筒形状，其中心轴线与第1轴线AX1一致。倾斜轴部50与保持结构体18相交。如图2所示，倾斜轴部50延伸至处理容器12的外侧。在倾斜轴部50的两个外侧端部，结合有上述驱动装置24。驱动装置24轴支承倾斜轴部50的两个外侧端部。通过利用驱动装置24使倾斜轴部50旋转，而保持结构体18以第1轴线AX1为中心转动，其结果，保持结构体18相对于轴线PX倾斜。保持结构体18能够以第2轴线AX2相对于轴线PX的倾斜角AN的值φ[度]成为-180度以上且+180度以下[度]的范围的角度的方式倾斜即，保持结构体18能够以第1轴线AX1为中心旋转一周转动360度。在一实施方式中，第1轴线AX1包含第2轴线AX2方向上的保持结构体18的中心位置。在该实施方式中，倾斜轴部50在通过保持结构体18的该中心的第1轴线AX1上延伸。在另一实施方式中，第1轴线AX1包含第2轴线AX2方向上的保持结构体18的中心与保持部30的上表面之间的位置。即，在该实施方式中，倾斜轴部50在比保持结构体18的中心更偏向保持部30侧的位置延伸。根据该实施方式，在保持结构体18倾斜时，能够减少从等离子体源16至晶片W的各位置的距离差。因此，进一步提高蚀刻的面内均匀性。在又一实施方式中，第1轴线AX1包含保持结构体18的重心。在该实施方式中，倾斜轴部50在包含该重心的第1轴线AX1上延伸。根据该实施方式，驱动装置24所要求的转矩变小，从而容易控制该驱动装置24。返回至图7及图8，各种电气系统用的配线、传热气体用的配管、及制冷剂用的配管通过倾斜轴部50的内孔。这些配线及配管与旋转轴部36连结。旋转轴部36包含柱状部36a、第1筒状部36b、第2筒状部36c、及第3筒状部36d。柱状部36a具有大致圆柱形状，且在第2轴线AX2上延伸。柱状部36a是用于对静电卡盘32的电极膜施加电压的配线。柱状部36a经由滑动环之类的旋转连接器54而连接于配线60。配线60从保持结构体18的内部空间通过倾斜轴部50的内孔延伸至处理容器12的外部。该配线60在处理容器12的外部经由开关而连接于电源62参考图2。第1筒状部36b在柱状部36a的外侧与柱状部36a同轴地设置。第1筒状部36b是用于对下部电极34供给调制直流电压及高频偏置电力的配线。第1筒状部36b经由旋转连接器54而连接于配线64。配线64从保持结构体18的内部空间通过倾斜轴部50的内孔延伸至处理容器12的外部。该配线64在处理容器12的外部连接于偏置电力供给部22的第1电源22a及第2电源22b。另外，在第2电源22b与配线64之间可设置阻抗匹配用的匹配器。第2筒状部36c在第1筒状部36b的外侧与第1筒状部36b同轴地设置。在一实施方式中，在上述旋转连接器54内设置有轴承55，轴承55沿着第2筒状部36c的外周面延伸。该轴承55经由第2筒状部36c支承旋转轴部36。上述轴承53支承旋转轴部36的上侧部分，相对于此，轴承55支承旋转轴部36的下侧部分。如此，通过轴承53及轴承55的两个轴承，而使旋转轴部36在其上侧部分及下侧部分的两侧被支承，因此能够使旋转轴部36以第2轴线AX2为中心稳定地旋转。在第2筒状部36c形成有传热气体供给用的气体管路。该气体管路经由转节swiveljoint之类的旋转接头而连接于配管66。配管66从保持结构体18的内部空间通过倾斜轴部50的内孔延伸至处理容器12的外部。该配管66在处理容器12的外部连接于传热气体源68参考图2。第3筒状部36d于第2筒状部36c的外侧与第2筒状部36c同轴地设置。在该第3筒状部36d，形成有用于对制冷剂流路34f供给制冷剂的制冷剂供给管路、及回收已被供给至制冷剂流路34f的制冷剂的制冷剂回收管路。制冷剂供给管路经由转节之类的旋转接头70而连接于配管72。并且，制冷剂回收管路经由旋转接头70而连接于配管74。配管72及配管74从保持结构体18的内部空间通过倾斜轴部50的内孔延伸至处理容器12的外部。而且，配管72及配管74在处理容器12的外部连接于冷却单元76参考图2。并且，如图8所示，在保持结构体18的内部空间设置有旋转马达78。旋转马达78产生用于使旋转轴部36旋转的驱动力。在一实施方式中，旋转马达78设置于旋转轴部36的侧方。该旋转马达78经由传导带82而与安装于旋转轴部36的带轮80连结。由此，将旋转马达78的旋转驱动力传递至旋转轴部36，从而保持部30以第2轴线AX2为中心旋转。保持部30的转数例如在50[rpm]以下的范围内。例如，保持部30在工艺中以10[rmp]的转数旋转。另外，用于对旋转马达78供给电力的配线通过倾斜轴部50的内孔被拉出至处理容器12的外部，且与设置于处理容器12的外部的马达用电源连接。在以下说明中，只要未特别提及，则保持部30的转数[rpm]设为相同的值例如10[rpm]。如此，保持结构体18可在能够维持为大气压的内部空间设置多种机构。并且，保持结构体18构成为能够将配线或配管拉出至处理容器12的外部，该配线或配管用于将容纳于保持结构体18的内部空间的机构与设置于处理容器12的外部的电源、气体源、冷却单元等装置连接。另外，除了上述配线及配管以外，也可将使设置于处理容器12的外部的加热器电源与设置于静电卡盘32的加热器连接的配线从保持结构体18的内部空间经由倾斜轴部50的内孔拉出至处理容器12的外部。[处理被处理体的方法]以下，对处理一实施方式的被处理体的方法进行说明。图1是表示一实施方式的处理被处理体的方法方法MT的一例的流程图。方法MT的工序ST1中以将成为处理对象的晶片W保持于等离子体处理装置10的保持结构体18的方式，准备晶片W。晶片W具备各向异性蚀刻为主导性的层及各向同性蚀刻为主导性的层。在继工序ST1之后的工序ST2第1工序中，在将第1方向VL1与第2方向VL2维持为第1角度φ1的状态φ＝φ1下，在由保持结构体18保持有晶片W的处理容器12内产生等离子体。在继工序ST2之后的工序ST3第2工序中，在第1方向VL1与第2方向VL2维持为第2角度φ2的状态φ＝φ2下，在由保持结构体18保持有晶片W的处理容器12内产生等离子体。第1角度φ1及第2角度φ2为-180度以上且+180度以下。第1角度φ1的绝对值与第2角度φ2的绝对值不同。第1角度φ1及第2角度φ2中的绝对值较小的一方的角度在-30度以上且+30度以下的范围内，绝对值较大的一方的角度在-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内。在对晶片W实施各向异性蚀刻的情况下，将第1方向VL1与第2方向VL2之间的角度倾斜角AN的值φ设为30度以上且+30度以下的范围。在对晶片W实施各向同性蚀刻的情况下，将第1方向VL1与第2方向VL2之间的角度倾斜角AN的值φ设为-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围。实施例1上述方法MT可应用于对图10的a部所示的晶片W1的多层膜进行蚀刻的情况。图9所示的方法MT1是上述方法MT的一例，处理晶片W1。图10的a～c部所示的晶片W1被处理体是上述晶片W的一例。图10的a部所示的晶片W1是用于制作3D-NAND元件的晶片。晶片W1包含基体LB、层叠区域LA、掩模LM。层叠区域LA包含氮化物区域L11、多个多晶硅区域L21多个第1层、多个氧化物区域L31多个第2层。层叠区域LA的氮化物区域L11仅由一层构成。掩模LM由有机材料构成，例如为抗蚀剂掩模。氮化物区域L11的材料例如可为SiN。与氧化物区域L31相比，多晶硅区域L21是各向同性蚀刻为主导性的层。多晶硅区域L21的材料可为非晶硅。氧化物区域L31的材料例如可为SiO2。在基体LB上设置有层叠区域LA。在基体LB上配置有层叠区域LA的氧化物区域L31。在层叠区域LA中，多晶硅区域L21与氧化物区域L31沿着层叠方向交替地层叠。在层叠区域LA上设置有掩模LM。在层叠区域LA中，氮化物区域L11配置于多晶硅区域L21上。掩模LM配置于层叠区域LA的氮化物区域L11上。图9所示的方法MT1包括工序ST11、工序ST21、及工序ST31。工序ST11对应于图1所示的工序ST1。工序ST21对应于图1所示的工序ST2。工序ST31对应于图1所示的工序ST3。首先，方法MT1的工序ST11中以将成为处理对象的图10的a部所示的晶片W1保持于等离子体处理装置10的保持结构体18的方式，准备晶片W。在继工序ST11之后的工序ST21第1工序中，如图10的b部所示，在第1方向VL1与第2方向VL2维持为第1角度φ1的状态φ＝φ1下，通过在处理容器12内产生的等离子体，对由保持结构体18保持的晶片W1进行蚀刻。更具体而言，在将第1角度φ1维持为适于各向异性蚀刻的-30度以上且+30度以下的范围内的状态下，使用掩模LM在层叠方向上对层叠区域LA进行蚀刻，通过该蚀刻而在层叠区域LA内形成槽TL1。在继工序ST21之后的工序ST31第2工序中，如图10的c部所示，在第1方向VL1与第2方向VL2维持为第2角度φ2的状态φ＝φ2下，通过在处理容器12内产生的等离子体，对由保持结构体18保持的晶片W1进行蚀刻。更具体而言，在将第2角度φ2维持为适于各向同性蚀刻的-180度以上且150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内的状态下，对露出于槽TL1的内侧的多晶硅区域L21进行蚀刻。第1角度φ1的绝对值小于第2角度φ2的绝对值。由于与氧化物区域L31相比，多晶硅区域L21是各向同性蚀刻为主导性的层，因此可在工序ST31中，以比较高的选择比仅对多晶硅区域L21与氧化物区域L31中的多晶硅区域L21选择性地进行蚀刻。表示工序ST21、ST31的工艺条件的实施例。＜工序ST21＞在工序ST21中，向处理容器12中导入H2气体、CF4气体、CHF3气体、及NF3气体，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。在工序ST21中，由于需要进行高纵横比的加工，因此通过第2电源22b，例如以3[MHz]的频率施加4000[W]的电力。＜工序ST31＞在工序ST31中，为了对多晶硅区域L21进行蚀刻，需要进行各向同性蚀刻。具体而言，在工序ST31中，向处理容器12中导入NF3气体、Ar气体、及O2气体，将压力保持为例如高压的400[mT]，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。另外，在工序ST31中，为了进行各向同性蚀刻，不施加偏置电压，或者施加低电压的偏置电压。例如，在工序ST31中，分别通过第1电源22a及第2电源22b，施加0[V]的电压及0[W]的电力，而进行蚀刻处理。实施例2上述方法MT可应用于对图12的a部所示的晶片W2的多层膜进行蚀刻的情况。图11所示的方法MT2是上述方法MT的一例，处理晶片W2。图12的a～c部所示的晶片W2被处理体是上述晶片W的一例。图12的a部所示的晶片W2是用于制作3D-NAND元件的晶片。晶片W2包含基体LB、层叠区域LA、掩模LM。层叠区域LA包含氮氧化硅区域L12、非晶碳区域L22、多个氮化物区域L32多个第1层、多个氧化物区域L42多个第2层。在层叠区域LA中，氮氧化硅区域L12仅由一层构成。在层叠区域LA中，非晶碳区域L22仅由一层构成。氮氧化硅区域L12的材料例如可为SiON。非晶碳区域L22的材料由非晶碳构成。与氧化物区域L42相比，氮化物区域L32是各向同性蚀刻为主导性的层。氮化物区域L32的材料例如可为SiN。氧化物区域L42的材料例如可为SiO2。在基体LB上设置有层叠区域LA。在基体LB上配置有层叠区域LA的氮化物区域L32。在层叠区域LA中，氮化物区域L32与氧化物区域L42沿着层叠方向交替地层叠。在层叠区域LA上设置有掩模LM。在层叠区域LA中，非晶碳区域L22配置于氮化物区域L32上。在层叠区域LA中，氮氧化硅区域L12配置于非晶碳区域L22上。掩模LM配置于层叠区域LA的氮氧化硅区域L12上。图11所示的方法MT2包括工序ST12、工序ST22、及工序ST32。工序ST12对应于图1所示的工序ST1。工序ST22对应于图1所示的工序ST2。工序ST32对应于图1所示的工序ST3。首先，方法MT2的工序ST12中以将成为处理对象的图12的a部所示的晶片W2保持于等离子体处理装置10的保持结构体18的方式，准备晶片W。在继工序ST12之后的工序ST22第1工序中，如图12的b部所示，在将第1方向VL1与第2方向VL2维持于第1角度φ1的状态φ＝φ1下，通过在处理容器12内产生的等离子体，对由保持结构体18保持的晶片W1进行蚀刻。更具体而言，在将第1角度φ1维持于适于各向异性蚀刻的-30度以上且+30度以下的范围内的状态下，使用掩模LM在层叠方向上对层叠区域LA进行蚀刻，通过该蚀刻而在层叠区域LA内形成槽TL2。在继工序ST22之后的工序ST32第2工序中，如图12的c部所示，在第1方向VL1与第2方向VL2维持为第2角度φ2的状态φ＝φ2下，通过在处理容器12内产生的等离子体，对由保持结构体18保持的晶片W1进行蚀刻。更具体而言，在将第2角度φ2维持为适于各向同性蚀刻的-180度以上且150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内的状态下，对露出于槽TL2的内侧的氮化物区域L32进行蚀刻。第1角度φ1的绝对值小于第2角度φ2的绝对值。由于与氧化物区域L42相比，氮化物区域L32是各向同性蚀刻为主导性的层，因此可在工序ST32中，以比较高的选择比仅对氮化物区域L32与氧化物区域L42中的氮化物区域L32选择性地进行蚀刻。表示工序ST22、ST32的工艺条件的实施例。＜工序ST22＞在工序ST22中，为了对材料不同的多个区域层叠而成的层叠区域LA进行蚀刻，按每个区域进行处理。在对氮氧化硅区域L12进行蚀刻的情况下，向处理容器12中导入CF4气体、CHF3气体、及O2气体，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。而且，使用第2电源22b施加偏置电力。在对非晶碳区域L22进行蚀刻的情况下，向处理容器12中导入O2气体及COS气体，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。而且，使用第2电源22b施加偏置电力。在对氮化物区域L32及氧化物区域L42进行蚀刻的情况下，在针对氮化物区域L32及氧化物区域L42各自的蚀刻条件下，向处理容器12中导入C4F6气体、C4F8气体、CH2F2气体、CHF3气体、Ar气体、及O2气体，并在针对氮化物区域L32及氧化物区域L42各自的蚀刻条件下，使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。而且，在针对氮化物区域L32及氧化物区域L42各自的蚀刻条件下，使用第2电源22b施加偏置电力。在工序ST22中对氮化物区域L32及氧化物区域L42蚀刻时，使用循环蚀刻的方式。并且，在工序ST22中进行蚀刻时，由于需要进行高纵横比的加工，因此通过第2电源22b以例如3[MHz]的频率施加5000[W]的偏置电力。＜工序ST32＞工序ST32中，为了对氮化物区域L32进行蚀刻，需要进行各向同性蚀刻。具体而言，在工序ST32中，向处理容器12中导入NF3气体、Ar气体、及O2气体，将压力保持为例如高压的400[mT]，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。另外，在工序ST32中，为了进行各向同性蚀刻，不施加偏置电压，或者施加低电压的偏置电压。例如，在工序ST32中，分别通过第1电源22a及第2电源22b施加0[V]的电压及0[W]的电力，而进行蚀刻处理。实施例3上述方法MT可应用于对图14的a部所示的晶片W3的多层膜进行蚀刻的情况。图13所示的方法MT3是上述方法MT的一例，处理晶片W3。图14的a～c部所示的晶片W3被处理体是上述晶片W的一例。晶片W3包含基体LB、层叠区域LA、掩模LM。层叠区域LA包含抗反射膜L13、有机膜L23、被蚀刻层L33。与抗反射膜L13相比，掩模LM是各向同性蚀刻为主导性的层。抗反射膜L13的材料例如可含有氧化硅。有机膜L23例如为含有碳或硅的层，且可为SOHspin-onhardmask，旋涂硬掩模层。被蚀刻层L33可为由氧化硅SiO2构成的绝缘膜。在基体LB上设置有层叠区域LA。在基体LB上配置有层叠区域LA的被蚀刻层L33。在层叠区域LA中，有机膜L23配置于被蚀刻层L33上。在层叠区域LA中，抗反射膜L13配置于有机膜L23上。在层叠区域LA上设置有掩模LM。掩模LM配置于层叠区域LA的抗反射膜L13上。图13所示的方法MT3包括工序ST13、工序ST23、及工序ST33。工序ST13对应于图1所示的工序ST1。工序ST23对应于图1所示的工序ST2。工序ST33对应于图1所示的工序ST3。首先，方法MT3的工序ST13中以将成为处理对象的图14的a部所示的晶片W3保持于等离子体处理装置10的保持结构体18的方式，准备晶片W。在继工序ST13之后的工序ST23第1工序中，如图14的b部所示，在第1方向VL1与第2方向VL2维持为第1角度φ1的状态φ＝φ1下，通过在处理容器12内产生的等离子体，对由保持结构体18保持的晶片W1进行蚀刻。更具体而言，在将第1角度φ1维持为适于各向同性蚀刻的-180度以上且150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内的状态下，对掩模LM的表面进行改性。另外，在工序ST23中，抑制了各向异性蚀刻，因此也抑制了对掩模LM的蚀刻。因此，一并抑制掩模LM的掩模长度以及掩模LM的LWRLineWidthRoughness，线宽粗糙度及LERLineEdgeRoughness，线边缘粗糙度从实施工序ST23前的状态劣化。在继工序ST23之后的工序ST33第2工序中，如图14的c部所示，在第1方向VL1与第2方向VL2维持为第2角度φ2的状态φ＝φ2下，通过在处理容器12内产生的等离子体，对由保持结构体18保持的晶片W1进行蚀刻。更具体而言，在将第2角度φ2维持为适于各向异性蚀刻的-30度以上且+30度以下的范围内的状态下，使用掩模LM对抗反射膜L13进行蚀刻，而形成掩模LM13。第1角度φ1的绝对值大于第2角度φ2的绝对值。表示工序ST23、ST33的工艺条件的实施例。＜工序ST23＞在工序ST23中，为了对掩模LM的表面进行改性，需要进行各向同性的处理。向处理容器12中导入H2气体及Ar气体，将压力保持为例如5[mT]，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。另外，在工序ST23中，为了进行各向同性的处理，不施加偏置电压，或者施加低电压的偏置电压。例如，在工序ST23中，分别通过第1电源22a及第2电源22b施加0[V]的电压及0[W]的电力，而进行蚀刻处理。＜工序ST33＞工序ST33中，为了对抗反射膜L13进行蚀刻，需要进行各向异性蚀刻。具体而言，在工序ST33中，向处理容器12中导入CF4气体及Ar气体，将压力保持为例如5[mT]，并使用高频电源150A及高频电源150B施加高频电力而产生等离子体。并且，在工序ST33中进行蚀刻时，由于需要进行各向异性蚀刻，因此通过第2电源22b以例如13[MHz]的频率施加500[W]的偏置电力。在上述所说明的方法MT中，在工序ST1及工序ST2中，保持晶片W的保持结构体18的朝向不同，因此在各工序中，可不使处理工艺复杂化而容易地利用因处理容器12内产生的等离子体引起的离子密度之差。尤其是，在处理容器12内，能够不使气体状态或等离子体状态等变化，而通过改变保持结构体18的朝向，容易地利用离子密度之差。并且，在实施例1的工序ST21及工序ST31中，保持晶片W1的保持结构体18的朝向不同，因此可利用处理容器12内的离子密度之差，由此，能够通过改变保持结构体18的朝向，容易地切换对各向同性蚀刻为主导性的层的蚀刻及对各向异性蚀刻为主导性的层的蚀刻。并且，在实施例2的工序ST22及工序ST22中，保持晶片W2的保持结构体18的朝向不同，因此可利用处理容器12内的离子密度之差，因此，能够通过改变保持结构体18的朝向，容易地切换对各向同性蚀刻为主导性的层的蚀刻及对各向异性蚀刻为主导性的层的蚀刻。并且，在实施例3中，在对各向同性蚀刻为主导性的掩模LM的表面进行改性的工序ST23中，第1角度φ1的绝对值大于第2角度φ2的绝对值，由此，晶片W3远离电介质板194的表面194a，因此晶片W3的附近的离子密度变低，从而可避免因实施这样的工序ST23引起的掩模LM形状的劣化。并且，因处理容器12内产生的等离子体引起的离子密度之差可在保持结构体18的第1方向VL1与第2方向VL2所成的角度在-30度以上且+30度以下的范围内的情况下、以及在-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内的情况下充分不同。并且，在控制离子能量的情况下，以往通过基于施加电压的调节而调节离子电流来控制处理容器12内的离子能量，但即便将该施加电压设为零，离子能量也不会成为零，因处理容器12内的上部的等离子体电位的存在等影响，例如4.2[eV]左右成为离子能量的下限值，因此为了使离子能量降低为低于该下限值，例如需要有离子捕集板等部件。相对于此，如使用等离子体处理装置10以上述一实施方式的方法MT进行的那样，保持结构体18能够绕第1轴线AX1转动360度-180度以上且+180以下，因此能够通过使保持于保持结构体18的晶片W的表面FS连续转动，而容易地使表面FS的位置移动至达到优选的电子密度的位置。因此，无需如以往那样基于施加电压的调节而调节离子电流，而仅通过使保持结构体18转动便可容易地将晶片W的表面FS附近的电子密度设定为优选的值。尤其是，即便在离子能量成为上述下限值的情况下，也可不使用离子捕集板等部件，而通过使保持结构体18仅转动例如±180度的程度使晶片W的表面FS相对于位于处理容器12的顶棚侧的电介质板194的表面194a朝向相反侧通过使晶片W的表面FS移动至距表面194a最远的位置，而使表面FS附近的离子能量降低为低于该下限值。如此，通过如使用等离子体处理装置10以上述一实施方式的方法MT进行的那样，使保持结构体18绕第1轴线AX1在-180度～+180度的范围内连续转动，而能够连续调节直至保持于保持结构体18的晶片W的表面FS附近的离子能量到达低于以往的下限值的值例如2～3eV左右，进而零eV左右为止。由于能够容易地将离子能量设定为低于上述下限值的值，因此例如在通过氟等离子体对Si膜及SiO2膜进行蚀刻时，能够容易地实现高选择比。以上，在优选的实施方式中，对本发明的原理进行了图示并说明，但本领域技术人员能够明确，本发明可不脱离这样的原理而在配置及详细结构方面进行变更。本发明并不限定于本实施方式中所公开的特定结构。因此，能够对来自技术方案及其精神的范围内的所有修正及变更申请权利。符号说明10-等离子体处理装置，12-处理容器，12a-中间部分，12e-排气口，14-气体供给系统，140-高频天线，142A-内侧天线元件，142B-外侧天线元件，144-夹持体，14a-气体供给部，14e-气体喷出孔，150A-高频电源，150B-高频电源，16-等离子体源，160-屏蔽部件，162A-内侧屏蔽壁，162B-外侧屏蔽壁，164A-内侧屏蔽板，164B-外侧屏蔽板，18-保持结构体，194-电介质板，194a-表面，20-排气系统，20a-自动压力控制器，20b-涡轮分子泵，20c-干式真空泵，20d-阀，20e-阀，22-偏置电力供给部，22a-第1电源，22b-第2电源，24-驱动装置，26-整流部件，26a-上部，26b-下部，30-保持部，32-静电卡盘，34-下部电极，34a-第1部分，34b-第2部分，34f-制冷剂流路，35-绝缘部件，35a-第1部分，35b-第2部分，36-旋转轴部，36a-柱状部，36b-第1筒状部，36c-第2筒状部，36d-第3筒状部，37-第1部件，38-第2部件，39a-密封部件，39b-密封部件，39c-密封部件，40-容器部，42-上侧容器部，44-外侧容器部，50-倾斜轴部，52-磁性流体密封部，52a-内圈部，52b-外圈部，52c-磁性流体，53-轴承，54-旋转连接器，55-轴承，60-配线，62-电源，64-配线，66-配管，68-传热气体源，70-旋转接头，72-配管，74-配管，76-冷却单元，78-旋转马达，80-带轮，82-传导带，AN-倾斜角，AX1-第1轴线，AX2-第2轴线，CE-中心，Cnt-控制部，FA1-水平基准面，FA2-铅垂基准面，FS-表面，L11-氮化物区域，L12-氮氧化硅区域，L13-抗反射膜，L21-多晶硅区域，L22-非晶碳区域，L23-有机膜，L31-氧化物区域，L32-氮化物区域，L33-被蚀刻层，L42-氧化物区域，LA-层叠区域，LB-基体，LM-掩模，LM13-掩模，MT-方法，MT1-方法，MT2-方法，MT3-方法，OR-原点，PX-轴线，S-空间，TC-1周期，TH-期间，TL-期间，TL1-槽，TL2-槽，VL1-第1方向，VL2-第2方向，W-晶片，W1-晶片，W2-晶片，W3-晶片，XO-交叉点。

权利要求：1.一种方法，其是使用等离子体处理装置对被处理体进行蚀刻的方法，所述等离子体处理装置具备保持所述被处理体的保持结构体及容纳该保持结构体的处理容器，所述保持结构体能够在所述处理容器内绕设置于该处理容器的倾斜轴转动360度，所述倾斜轴与所述保持结构体相交，所述倾斜轴的轴线与设置于所述处理容器内的顶棚侧的上部电极的电极板的表面、及保持于所述保持结构体的所述被处理体的表面平行，在由所述保持结构体保持的所述被处理体的所述表面与所述电极板的所述表面平行且相互面对的状态下，该被处理体的第1中心轴线与所述处理容器的第2中心轴线重叠，并且该第1中心轴线的第1方向与该第2中心轴线的第2方向相同，所述第1中心轴线垂直于所述被处理体的所述表面，所述第1方向朝向所述被处理体的所述表面的上方，所述第2中心轴线垂直于所述电极板的所述表面，所述第2方向从所述处理容器的底部侧朝向设置于该处理容器的顶棚侧的所述电极板，所述第1中心轴线通过所述保持结构体绕所述倾斜轴转动，而相对于所述第2中心轴线倾斜，该方法包括：第1工序，在维持所述第1方向与所述第2方向成第1角度的状态下，在由所述保持结构体保持有所述被处理体的所述处理容器内产生等离子体；及第2工序，在实施所述第1工序后，在维持所述第1方向与所述第2方向成第2角度的状态下，在由所述保持结构体保持有所述被处理体的所述处理容器内产生等离子体；所述第1角度及所述第2角度为-180度以上且+180度以下，所述第1角度的绝对值与所述第2角度的绝对值不同。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述被处理体具备层叠区域及设置于该层叠区域之上的掩模，所述层叠区域具备多个第1层及多个第2层，所述第1层与所述第2层沿着层叠方向交替地层叠，与所述第2层相比，所述第1层是各向同性蚀刻为主导性的层，所述第1角度的绝对值小于所述第2角度的绝对值，在所述第1工序中，使用所述掩模在所述层叠方向上对所述层叠区域进行蚀刻，通过该蚀刻，在所述层叠区域内形成槽，在所述第2工序中，对露出于所述槽的内侧的所述第1层进行蚀刻。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述被处理体具备抗反射膜及设置于该抗反射膜上的掩模，所述第1角度的绝对值大于所述第2角度的绝对值，所述掩模是各向同性蚀刻为主导性的层，在所述第1工序中，对所述掩模的表面进行改性，在所述第2工序中，使用所述掩模，对所述抗反射膜进行蚀刻。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第1角度及所述第2角度中，绝对值较小的一方的角度在-30度以上且+30度以下的范围内，绝对值较大的一方的角度在-180度以上且-150度以下及+150度以上且+180度以下的范围内。

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