申请/专利权人：信越半导体株式会社

申请日：2018-03-16

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN110546740B

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304;B24B37/015

优先权：["20170424 JP 2017-085270"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2019.12.31#实质审查的生效;2019.12.06#公开

摘要：本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。由此可提供一种兼顾了平面度Flatness的提高和表面粗糙度的降低的硅晶圆的研磨方法。

主权项：1.一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越半导体株式会社 硅晶圆的研磨方法

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