申请/专利权人：华东光电集成器件研究所

申请日：2019-08-27

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN110683507B

主分类号：B81B7/00

分类号：B81B7/00;B81B7/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.14#公开

摘要：本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。

主权项：1.一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极，其特征在于，所述衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种抗干扰MEMS器件

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