申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-01-28

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN112928030B

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L21/84;H01L23/498;H01L27/13

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明提出一种电容结构的处理方法及半导体结构；电容结构的处理方法包含以下步骤：提供一衬底，在衬底表面形成着落垫，刻蚀着落垫；在衬底表面形成阻挡层，阻挡层覆盖着落垫；刻蚀阻挡层，以暴露着落垫的一部分；在衬底表面形成第一介质层，第一介质层覆盖着落垫和阻挡层；刻蚀第一介质层并形成电容接触插塞。通过上述工艺设计，本发明提出的电容结构的处理方法，能够在不改变电容大小的前提下，有效改善电容接触插塞与着落垫之间的过刻蚀问题，避免形成孔洞而造成电容上下电极的短路。

主权项：1.一种电容结构的处理方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一衬底，所述衬底的材料包含氮化物，在所述衬底表面形成着落垫，刻蚀所述着落垫；在所述衬底表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述着落垫，所述阻挡层的材料相对于所述衬底的材料具有高刻蚀选择比，所述阻挡层的材料包含聚合陶瓷材料；刻蚀所述阻挡层，以暴露所述着落垫的顶面和所述衬底未被所述着落垫覆盖的部分；刻蚀所述阻挡层后，在所述衬底表面形成第一支撑层，所述第一支撑层覆盖所述着落垫和所述阻挡层，所述第一支撑层的材质为氮化硅；在所述衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一支撑层，所述第一介质层的材质包含氧化物；刻蚀所述第一介质层和所述第一支撑层而形成电容孔，所述电容孔贯穿所述第一介质层和所述第一支撑层，所述着落垫的顶面和所述阻挡层的部分顶面暴露于所述电容孔的底部；在所述电容孔中形成电容，以此形成电容接触插塞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 电容结构的处理方法及半导体结构

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