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【发明授权】一种微机电系统封装结构及其制备方法_中山大学南昌研究院_202110546475.0 

申请/专利权人:中山大学南昌研究院

申请日:2021-05-19

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN113336182B

主分类号:B81B7/00

分类号:B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开

摘要:本发明属于微机电系统封装技术领域,提供了一种微机电系统封装结构,其包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构,以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板;所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层,所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm;所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏,同时用于释放刻蚀过程中产生的热量。在本发明微机电系统封装结构制备过程中,由于先在硅基底背面沉积了一定厚度的金属层,用以固定MEMS器件的薄弱结构,使得本发明可通过刻蚀后先键合再划片的工序,实现MEMS器件结构的晶圆级封装,封装效率高,质量好,成本低。

主权项:1.一种微机电系统封装结构的制备方法,所述微机电系统封装结构包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构,以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板;所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层,所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm;所述第一金属层和第二金属层采用的金属种类相同或不同;所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏,同时用于释放刻蚀过程中产生的热量;其特征在于,包括如下步骤:在硅基底正面图案化制备MEMS器件结构;在硅基底背面形成第二金属层;在第二金属层背面形成第一金属层;在硅基底正面刻蚀该MEMS器件结构;将硅基底和盖板键合封装,再划片;去除硅基底背面的第一金属层和第二金属层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中山大学南昌研究院 一种微机电系统封装结构及其制备方法

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