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【发明授权】垂直腔面发射激光器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202111014257.9 

申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日:2021-08-31

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN113725728B

主分类号:H01S5/183

分类号:H01S5/183

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要:本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,其中的垂直腔面发射激光器包括从下至上依次制备的衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层;其中,第一垂直腔面发射激光器层包括第一有源层,第二垂直腔面发射激光器层包括第二有源层;第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于第一垂直腔面发射激光器层的台面面积;第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于第二垂直腔面发射激光器层的激射波长。相较于现有技术,本发明提供的垂直腔面发射激光器能够在实现光信号高速率输出的同时实现高功率输出。

主权项:1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括从下至上依次制备的衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层;其中,所述第一垂直腔面发射激光器层包括从下至上依次制备的第一p型DBR层、第一有源层和第一n型DBR层;所述第二垂直腔面发射激光器层包括从下至上依次制备的第二n型DBR层、第二有源层和第二p型DBR层;所述第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于所述第一垂直腔面发射激光器层的台面面积;所述第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于所述第二垂直腔面发射激光器层的激射波长;所述第二p型DBR层的反射率大于第二n型DBR层的反射率。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 垂直腔面发射激光器及其制备方法

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