申请/专利权人：季华实验室

申请日：2023-02-24

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN115861312B

主分类号：G06T7/00

分类号：G06T7/00;G06V10/774

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2023.04.14#实质审查的生效;2023.03.28#公开

摘要：本申请涉及一种基于风格迁移正样本生成的OLED干膜缺陷检测方法。所述方法包括：获得OLED的正样本，并提取所述正样本中像素槽形状的第一隐特征，以及所述正样本中像素图像的第二隐特征；根据所述第一隐特征和所述第二隐特征进行风格迁移，获得风格迁移特征；利用所述风格迁移特征获得图像样本。采用本方法能够自动扩展图像正样本。

主权项：1.一种基于风格迁移正样本生成的OLED干膜缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：获得OLED的正样本，并提取所述正样本中像素槽形状的第一隐特征，以及所述正样本中像素图像的第二隐特征；根据所述第一隐特征和所述第二隐特征进行风格迁移，获得风格迁移特征；利用所述风格迁移特征获得图像样本；其中，所述根据所述第一隐特征和所述第二隐特征进行风格迁移，获得风格迁移特征，包括：根据所述第一隐特征和所述第二隐特征，获得线性变换模型；根据所述第一隐特征和所述线性变换模型，获得所述第一隐特征的二阶统计信息，并根据所述第二隐特征，获得所述第二隐特征的二阶统计信息；分别对所述第一隐特征和所述第二隐特征的二阶统计信息随机添加高斯噪声；对添加高斯噪声的第一隐特征和所述第二隐特征的二阶统计信息进行风格迁移，获得所述风格迁移特征；所述线性变换模型根据下述公式获得： Fc表示第一隐特征，Fs表示第二隐特征，Q表示线性变换模型，QFs表示对Fs做线性变换Q得到的风格迁移特征，表示（QFs-Fc）的转置，表示风格迁移后得到的图像与输入的风格图像具有相同的风格信息，L=0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 季华实验室 基于风格迁移正样本生成的OLED干膜缺陷检测方法

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