申请/专利权人:四川建筑职业技术学院
申请日:2021-02-06
公开(公告)日:2023-05-26
公开(公告)号:CN113771471B
主分类号:B32B37/06
分类号:B32B37/06;B32B37/10;B32B27/36;B32B27/06;B32B33/00;C08K3/14;C08L27/16
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.26#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开
摘要:本发明公开了一种新型mxenes聚合物介电复合材料,所述介电复合材料由作为填料的Ti3C2Tx与作为基质的PVDF‑TrFE组成,所述Ti3C2Tx占介电复合材料的8‑12wt.%;一种新型mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺,采用Ti3C2Tx与PVDF‑TrFE混合后浇筑成膜,并将两薄膜采用PC热压制成新型mxenes聚合物介电复合材料。采用本发明的一种新型mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺,具有高介电常数和低介电损耗的特性。
主权项:1.一种mxenes聚合物介电复合材料,其特征在于:所述介电复合材料由作为填料的Ti3C2Tx与作为基质的P(VDF-TrFE)组成,所述Ti3C2Tx占介电复合材料的8-12wt.%;所述介电复合材料由两层Ti3C2Tx与P(VDF-TrFE)制成的薄膜采用PC热压而成;所述P(VDF-TrFE)为配比6535或7030或7525的P(VDF-TrFE)共聚物。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 四川建筑职业技术学院 一种mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。