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【实用新型】一种半导体激光器_吉光半导体科技有限公司_202320041375.7 

申请/专利权人:吉光半导体科技有限公司

申请日:2023-01-05

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN219086444U

主分类号:H01S5/20

分类号:H01S5/20;H01S5/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.26#授权

摘要:本实用新型公开了一种半导体激光器,从下至上依次包括:N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层、刻蚀阻挡层、电流注入调控层、第二P型波导、P型包层、盖层和P面电极,所述电流注入调控层包括至少一个增益区及一个非增益区,通过选择性刻蚀电流注入调控层与二次外延生长,可实现载流子的完全控制,仅使增益区的电流注入到有源区,非增益区会形成p‑n‑p电流阻挡反偏层,可很好的限制载流子扩散、集聚、热透镜等效应,增大高阶侧模的光损耗及降低高阶侧模的增益,有效降低激射侧模数量,并可解决传统工艺步骤中台面刻蚀等产生的应力问题,实现高功率、高光束质量、高亮度激光输出。

主权项:1.一种半导体激光器,其特征在于,从下至上依次包括:N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层、刻蚀阻挡层、电流注入调控层、第二P型波导层、P型包层、盖层、P面电极,其中,所述电流注入调控层为N型高掺杂材料;所述电流注入调控层包括至少一个增益区及一个非增益区,所述非增益区位于每一个所述增益区的四周;所述的增益区为通过刻蚀掉电流注入区域对应的所述电流注入调控层形成的。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 吉光半导体科技有限公司 一种半导体激光器

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