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【发明公布】反向导通绝缘栅双极晶体管_三菱电机株式会社_202211446972.4 

申请/专利权人:三菱电机株式会社

申请日:2022-11-18

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN116169167A

主分类号:H01L29/739

分类号:H01L29/739;H01L29/423

优先权:["20211124 JP 2021-190463"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要:本发明的目的在于在反向导通绝缘栅双极晶体管即RC‑IGBT中提高闩锁耐量并且降低接通电压。RC‑IGBT101具有:多个栅极电极11a,它们设置于多个栅极沟槽11T内;多个哑栅极电极12a,它们设置于多个哑沟槽12T内,具有位于与多个栅极电极的上表面相比靠下的位置处的上表面;层间绝缘膜4,其形成于半导体基板50的上表面,具有在各哑栅极电极的上方使各哑沟槽的至少一侧的侧壁露出的第1接触孔17;以及发射极电极6,其设置于层间绝缘膜之上及第1接触孔内,在从第1接触孔露出的各哑沟槽12T的侧壁处与基极层15电连接。在2个栅极沟槽之间配置至少1个哑沟槽。

主权项:1.一种RC-IGBT,其具有半导体基板,该半导体基板具有IGBT区域及二极管区域,其中,所述半导体基板具有:n型的漂移层,其设置于所述IGBT区域及所述二极管区域;p型的基极层,其在所述IGBT区域设置于所述漂移层之上;以及n型的源极层,其在所述IGBT区域设置于所述基极层之上,构成所述半导体基板的上表面,与所述漂移层相比n型杂质浓度高,在所述半导体基板,在所述IGBT区域形成从所述半导体基板的上表面将所述基极层贯穿而到达所述漂移层并且以第1方向为长度方向的多个栅极沟槽及多个哑沟槽,该RC-IGBT还具有:多个栅极电极,它们隔着栅极绝缘膜设置于所述多个栅极沟槽内;多个哑栅极电极,它们隔着哑栅极绝缘膜设置于所述多个哑沟槽内,具有位于与所述多个栅极电极的上表面相比靠下的位置处的上表面;层间绝缘膜,其在所述IGBT区域形成于所述半导体基板的上表面,具有在各所述哑栅极电极的上方使各所述哑沟槽的至少一侧的侧壁露出的第1接触孔;以及发射极电极,其在所述IGBT区域设置于所述层间绝缘膜之上及所述第1接触孔内,在从所述第1接触孔露出的各所述哑沟槽的侧壁处与所述基极层电连接,在所述多个栅极沟槽所包含的2个栅极沟槽之间配置所述多个哑沟槽所包含的至少1个哑沟槽。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱电机株式会社 反向导通绝缘栅双极晶体管

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