申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-11-23

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171047A

主分类号：H10B51/30

分类号：H10B51/30

优先权：["20211125 KR 10-2021-0164865"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：根据本发明构思的一种铁电存储器件包括：具有源极漏极区的基板；在基板上的界面层；在界面层上的高介电层；在高介电层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极层。高介电层和铁电层具有不同晶体结构的相。

主权项：1.一种铁电存储器件，包括：基板，包括源极漏极区；在所述基板上的界面层；在所述界面层上的高介电层；在所述高介电层上的铁电层；以及在所述铁电层上的栅电极层，其中所述高介电层和所述铁电层包括不同晶体结构的相。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 铁电存储器件

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