申请/专利权人:力晶积成电子制造股份有限公司
申请日:2021-12-30
公开(公告)日:2023-05-30
公开(公告)号:CN116193849A
主分类号:H10B12/00
分类号:H10B12/00;H01L29/423
优先权:["20211125 TW 110144070"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开
摘要:本发明公开一种动态随机存取存储器结构,包括至少一个存储单元。存储单元包括基底、栅极结构、第一电容器、第一位线结构、第二电容器与第二位线结构。基底具有相对的第一面与第二面。栅极结构贯穿基底。第一电容器位于基底的第一面上。第一位线结构位于基底的第二面上。第二电容器位于基底的第二面上。第二位线结构位于基底的第一面上。
主权项:1.一种动态随机存取存储器结构,包括至少一个存储单元,其中所述存储单元包括:基底,具有相对的第一面与第二面;栅极结构,贯穿所述基底;第一电容器,位于所述基底的所述第一面上;第一位线结构,位于所述基底的所述第二面上;第二电容器,位于所述基底的所述第二面上;以及第二位线结构,位于所述基底的所述第一面上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 力晶积成电子制造股份有限公司 动态随机存取存储器结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。