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【发明公布】动态随机存取存储器结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202111644536.3 

申请/专利权人:力晶积成电子制造股份有限公司

申请日:2021-12-30

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116193849A

主分类号:H10B12/00

分类号:H10B12/00;H01L29/423

优先权:["20211125 TW 110144070"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:本发明公开一种动态随机存取存储器结构,包括至少一个存储单元。存储单元包括基底、栅极结构、第一电容器、第一位线结构、第二电容器与第二位线结构。基底具有相对的第一面与第二面。栅极结构贯穿基底。第一电容器位于基底的第一面上。第一位线结构位于基底的第二面上。第二电容器位于基底的第二面上。第二位线结构位于基底的第一面上。

主权项:1.一种动态随机存取存储器结构,包括至少一个存储单元,其中所述存储单元包括:基底,具有相对的第一面与第二面;栅极结构,贯穿所述基底;第一电容器,位于所述基底的所述第一面上;第一位线结构,位于所述基底的所述第二面上;第二电容器,位于所述基底的所述第二面上;以及第二位线结构,位于所述基底的所述第一面上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 力晶积成电子制造股份有限公司 动态随机存取存储器结构

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