申请/专利权人：SPTS科技有限公司

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190222A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01J37/32

优先权：["20211129 GB 2117193.9"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.30#公开

摘要：本发明揭示一种对含添加剂的氮化铝膜进行等离子体蚀刻的方法，所述含添加剂的氮化铝膜含有选自钪、钇或铒的添加剂元素。所述方法包括将工件放置在等离子腔室内的压板上，所述工件包括具有沉积在其上的含添加剂的氮化铝膜的衬底及安置在所述含添加剂的氮化铝膜上的掩模，所述掩模界定至少一个沟槽。所述方法进一步包括将第一蚀刻气体以第一流率引入所述腔室，将第二蚀刻气体以第二流率引入所述腔室，及在所述腔室内建立等离子体以蚀刻在所述沟槽内暴露的所述含添加剂的氮化铝膜。所述第一蚀刻气体包括三氯化硼且所述第二蚀刻气体包括氯，且所述第一流率与所述第二流率的比率大于或等于1:1。

主权项：1.一种对含添加剂的氮化铝膜进行等离子体蚀刻的方法，所述含添加剂的氮化铝膜含有选自钪Sc、钇Y或铒Er的添加剂元素，工艺包括：-将工件放置在等离子腔室内的压板上，所述工件包括具有沉积在其上的含添加剂的氮化铝膜的衬底及安置在所述含添加剂的氮化铝膜上的掩模，所述掩模界定至少一个沟槽；-将第一蚀刻气体以第一流率引入所述腔室；-将第二蚀刻气体以第二流率引入所述腔室；及-在所述腔室内建立等离子体以蚀刻在所述沟槽内暴露的所述含添加剂的氮化铝膜；-其中所述第一蚀刻气体包括三氯化硼且所述第二蚀刻气体包括氯，且-其中所述第一流率与所述第二流率的比率大于或等于1:1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： SPTS科技有限公司 等离子体刻蚀方法

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