申请/专利权人:三星显示有限公司
申请日:2022-09-19
公开(公告)日:2023-05-30
公开(公告)号:CN116193915A
主分类号:H10K59/121
分类号:H10K59/121;H10K59/123;H10K59/131;H10K59/124;H10K59/126
优先权:["20211126 KR 10-2021-0165610"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2023.05.30#公开
摘要:一种显示面板,包括:基底层,包括显示区域以及非显示区域;修复电路,配置于所述非显示区域;像素,配置于所述显示区域,并包括像素电路以及电连接于所述像素电路的发光元件;以及修复线,电连接于所述修复电路,并从所述修复电路朝向所述像素延伸。所述像素电路包括:硅晶体管,包括:硅半导体图案;以及第一栅极,配置于所述硅半导体图案上;氧化物晶体管,包括:遮光图案,配置于所述第一栅极上并配置于与所述修复线相同的层上;氧化物半导体图案,配置于所述遮光图案上;以及第二栅极,配置于所述氧化物半导体图案上;以及桥接电极,配置于与所述第二栅极相同的层上,并重叠于所述修复线,并且电连接于所述发光元件以及所述硅晶体管。
主权项:1.一种显示面板,其中,包括:基底层,包括显示区域以及非显示区域;修复电路,配置于所述非显示区域;像素,配置于所述显示区域,并包括像素电路以及电连接于所述像素电路的发光元件;以及修复线,电连接于所述修复电路,并从所述修复电路朝向所述像素延伸,所述像素电路包括:硅晶体管,包括:硅半导体图案,包括第一输入区域、第一沟道区域以及第一输出区域;以及第一栅极,配置于所述硅半导体图案上并重叠于所述第一沟道区域;氧化物晶体管,包括:遮光图案,配置于所述第一栅极上并配置于与所述修复线相同的层上;氧化物半导体图案,配置于所述遮光图案上并包括第二输入区域、第二沟道区域以及第二输出区域;以及第二栅极,配置于所述氧化物半导体图案上并重叠于所述第二沟道区域;以及桥接电极,配置于与所述第二栅极相同的层上,并重叠于所述修复线,并且电连接于所述发光元件以及所述硅晶体管。
全文数据:
权利要求:
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。