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【发明公布】空白掩膜用层叠体、其制造方法及空白掩模制造用层叠体_SKC索密思株式会社_202211428437.6 

申请/专利权人:SKC索密思株式会社

申请日:2022-11-15

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116184756A

主分类号:G03F1/26

分类号:G03F1/26;G03F1/38

优先权:["20211129 KR 10-2021-0166820"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:提供一种空白掩模用层叠体及其制造方法,上述空白掩模用层叠体包括:透光层,以及相移膜,设置在上述透光层上;通过离子色谱法在上述相移膜表面测得的残留离子包含浓度为0ngcm2以上且0.05ngcm2以下的硫酸离子、浓度为0ngcm2以上且0.5ngcm2以下的氮氧化物离子及浓度为0ngcm2以上且5ngcm2以下的铵离子中的至少一种,上述残留离子浓度的总和超过0。

主权项:1.一种空白掩模用层叠体,其特征在于,包括:透光层,以及相移膜,设置在上述透光层上;通过离子色谱法在上述相移膜表面测得的残留离子,包含浓度为0ngcm2以上且0.05ngcm2以下的硫酸离子和浓度为0ngcm2以上且0.5ngcm2以下的氮氧化物离子及浓度为0ngcm2以上且5ngcm2以下的铵离子中的至少一种,上述残留离子浓度的总和超过0。

全文数据:

权利要求:

百度查询: SKC索密思株式会社 空白掩膜用层叠体、其制造方法及空白掩模制造用层叠体

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