申请/专利权人：意法半导体股份有限公司

申请日：2022-11-25

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190457A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L23/31;H01L21/329

优先权：["20211126 IT 102021000029969","20220909 US 17/941,788"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：公开了具有增强的鲁棒性的SIC基电子器件及制造电子器件的方法。一种电子器件，包括：半导体主体，由碳化硅制成；第一绝缘层，位于半导体主体的第一表面上，第一绝缘层由具有电绝缘体或介电特性的第一材料制成；第一金属材料层，第一金属材料层部分地在半导体主体的第一表面上延伸并且部分地在第一绝缘层上延伸；界面层，位于第一金属材料层和第一绝缘层上，界面层由不同于第一材料的第二材料制成；以及钝化层，由第一材料制成，位于界面层上。第一材料是氧化硅，并且第二材料是氮化硅。

主权项：1.一种电子器件，包括：半导体主体，由碳化硅制成，并且具有第一类型的导电性；第一绝缘层，位于所述半导体主体的第一表面上方，所述第一绝缘层具有第一材料，所述第一材料具有电绝缘体或介电特性；第一金属层，部分地在所述半导体主体的所述第一表面上方延伸并且部分地在所述第一绝缘层上方延伸；界面层，由第二材料制成，位于所述第一金属层和所述第一绝缘层上方，所述第二材料不同于所述第一材料；以及钝化层，由所述第一材料制成，位于所述界面层上。

全文数据：

权利要求：

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