申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116193850A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00;H01L23/64

优先权：["20211129 KR 10-2021-0167516"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.30#公开

摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有单元阵列区和外围区；下电极，设置在单元阵列区上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，覆盖下电极和至少一个支撑层；上电极，覆盖介电层；层间绝缘层，覆盖上电极的上表面和侧表面；外围接触插塞，在衬底的外围区上穿过层间绝缘层；以及第一氧化物层，在上电极和外围接触插塞之间。上电极包括在横向方向上从单元阵列区向外围区突出的至少一个突出区。第一氧化物层设置在至少一个突出区和外围接触插塞之间。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列区和外围区；多个下电极，设置在所述单元阵列区上；至少一个支撑层，与所述多个下电极接触，并且在平行于所述衬底的上表面的方向上延伸；介电层，覆盖所述多个下电极和所述至少一个支撑层；上电极，覆盖所述介电层；层间绝缘层，覆盖所述上电极的上表面和侧表面；外围接触插塞，穿过所述层间绝缘层，并且设置在所述衬底的所述外围区上；以及第一氧化物层，在所述上电极和所述外围接触插塞之间，其中，所述上电极包括至少一个突出区，所述至少一个突出区在平行于所述衬底的上表面的横向方向上突出并且从所述单元阵列区向所述外围区延伸，并且其中，所述第一氧化物层设置在所述外围接触插塞和所述至少一个突出区之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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