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【发明公布】阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板_深圳市华星光电半导体显示技术有限公司_202211689198.X 

申请/专利权人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请日:2022-12-27

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116190386A

主分类号:H01L27/12

分类号:H01L27/12;H01L21/77

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:本申请提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板,其中阵列基板包括衬底基板;薄膜晶体管,设置于衬底基板上,薄膜晶体管包括层叠设置于衬底基板上有源层、栅极层以及源漏极层,有源层包括:第一金属氧化物层,设置于衬底基板上;导体化界面层,设置于第一金属氧化物层背向衬底基板的表面;第二金属氧化物层,设置于导体化界面层背向第一金属氧化物层的一面。本申请通过在薄膜晶体管的有源层中设置导体化界面层,使得导体化界面层形成于第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间,以此通过导体化界面层增加高载流子浓度的导电通道,从而提升薄膜晶体管器件的导电特性,实现薄膜晶体管迁移率的提升,进而提高薄膜晶体管的驱动能力。

主权项:1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;薄膜晶体管,设置于所述衬底基板上,所述薄膜晶体管包括层叠设置于所述衬底基板上有源层、栅极层以及源漏极层,所述有源层包括:第一金属氧化物层,设置于所述衬底基板上;导体化界面层,设置于所述第一金属氧化物层背向所述衬底基板的表面;第二金属氧化物层,设置于所述导体化界面层背向所述第一金属氧化物层的一面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板

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