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【发明公布】一种IGBT芯片制备方法和IGBT芯片_北京贝茵凯微电子有限公司_202310467252.4 

申请/专利权人:北京贝茵凯微电子有限公司

申请日:2023-04-27

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116190227A

主分类号:H01L21/331

分类号:H01L21/331;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/304;H01L21/265;H01L23/31;H01L21/56

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.07.21#授权;2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:一种IGBT芯片的制备方法和IGBT芯片。该制备方法包括:硅基衬底制备;在硅基衬底上形成P型终端区和有源区,使有源区与终端区氧化隔离;在有源区中形成多晶硅沟槽‑栅极源极金属直接连接的栅极源极;进行至少一次钝化操作;对硅基衬底的背面进行研磨减薄,然后依次形成N型FS层和P+层以及集电极。该IGBT芯片为该方法制得。本发明通过将金属层直接与多晶硅连接,去除了表面多晶硅汇流条,减少了芯片表面大面积的多晶硅栅极总线的排布,使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡,微填充问题彻底解决,可靠性和芯片利用效率大幅提高。

主权项:1.一种IGBT芯片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:硅基衬底制备;在硅基衬底上形成P型终端区;在硅基衬底上形成有源区,使所述有源区与终端区氧化隔离;在所述有源区中形成多晶硅沟槽-栅极源极金属直接连接的栅极源极;进行至少一次钝化操作;对所述硅基衬底的背面进行研磨减薄;在所述硅基衬底的背面依次形成N型FS层和P+层;在所述硅基衬底的背面形成集电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京贝茵凯微电子有限公司 一种IGBT芯片制备方法和IGBT芯片

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