申请/专利权人：香港科技大学

申请日：2022-11-10

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116187250A

主分类号：G06F30/39

分类号：G06F30/39;G06F30/27;G06N3/04

优先权：["20211116 US 63/279,697"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：提供了用于对包含磁性隧道结的器件或电路进行仿真的方法、系统和存储介质。所述方法包括：对待要进行仿真的所述器件或电路施加写入电压或写入电流，获取写入电压大小及其方向或写入电流大小及其方向；将所述写入电压大小及其方向或写入电流大小及其方向提供给构建的用于磁性隧道结的模型，并且使用所述构建的用于磁性隧道结的模型对所述器件或电路进行仿真，其中在所述模型中将自由层构建为由并联且独立的多个磁滞单元构成。通过上述方案，可以对磁性隧道结的多个状态及其稳定性、写入精度实现更加精细化的描述，从而使针对该类器件或电路的仿真更加准确和灵活。

主权项：1.一种基于计算机程序实现的用于对包含磁性隧道结的器件或电路进行仿真的方法，其特征在于，所述磁性隧道结包括由隧道势垒隔开的两个磁性层，所述两个磁性层包括参照层和自由层，所述参照层的磁化强度和磁化方向是固定的，所述自由层的磁化强度和磁化方向是变化的，所述方法包括：对待要进行仿真的所述器件或电路施加写入电压或写入电流，获取写入电压大小及其方向或写入电流大小及其方向；将所述写入电压大小及其方向或写入电流大小及其方向提供给构建的用于磁性隧道结的模型，并且使用所述构建的用于磁性隧道结的模型对所述器件或电路进行仿真，其中在所述模型中将所述自由层构建为由并联且独立的多个磁滞单元构成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 香港科技大学 对包含磁性隧道结的器件或电路进行仿真的方法和系统

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