申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-11-24

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190253A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31

优先权：["20211129 US 17/536,538","20220816 US 17/888,669"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.30#公开

摘要：公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：提供金属基板，该金属基板包括基部和多个金属柱，基部是具有基本均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘模制料的封装体；将半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以便在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。

主权项：1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：提供金属基板，所述金属基板包括基部和多个金属柱，所述基部是具有均匀厚度的平面盘，所述多个金属柱各自从所述基部的平面上表面向上延伸；在所述基部的上表面上以倒装芯片布置方式安装半导体管芯，其中，所述半导体管芯的主表面包括端子和垂直连接件，所述端子面向所述金属基板，所述垂直连接件在所述端子与所述基部的平面上表面之间延伸；在所述金属基板上形成电绝缘模制料的、封装所述半导体管芯的封装体；去除所述基部，从而使所述金属柱彼此分离，并且在所述封装体的第一表面处露出所述垂直连接件的端部；以及在所述半导体封装的第一侧处形成接触焊盘，所述接触焊盘被电连接至所述半导体管芯的端子。

全文数据：

权利要求：

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