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【发明公布】半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202310366031.8 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2018-11-07

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116193847A

主分类号:H10B10/00

分类号:H10B10/00;H01L21/8238

优先权:["20180626 US 16/019,420"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括:半导体衬底;第一鳍结构,突出于半导体衬底;第二鳍结构,突出于所述半导体衬底;碳阻挡区,设置在所述半导体衬底的位于所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的区域;第一p型阱区,设置在所述第一鳍结构下面的所述半导体衬底中;以及第一n型阱区,设置在所述第二鳍结构下面的所述半导体衬底中,其中,所述第一p型阱区包括下p型阱区和设置在所述下p型阱区域上方的上p型阱区,并且所述碳阻挡区设置在所述下p型阱区和所述第一n型阱区的边界区域。

主权项:1.一种半导体器件,包括:半导体衬底;第一鳍结构,突出于半导体衬底;第二鳍结构,突出于所述半导体衬底;碳阻挡区,设置在所述半导体衬底的位于所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的区域;第一p型阱区,设置在所述第一鳍结构下面的所述半导体衬底中;以及第一n型阱区,设置在所述第二鳍结构下面的所述半导体衬底中,其中,所述第一p型阱区包括下p型阱区和设置在所述下p型阱区域上方的上p型阱区,并且所述碳阻挡区设置在所述下p型阱区和所述第一n型阱区的边界区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件

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